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| 1 | 高分辨磁旋转编码器磁鼓表露磁场分析与AMR检测磁头设计显示文摘应用静磁场理论分析了高分辨磁旋转编码器磁鼓的表露磁场,通过数值计算得到磁鼓表露场分布的直观曲线.设计制作出性能优良的磁旋转编码器AMR检测磁头,理论分析结果与对磁鼓表露磁场的实际测试结果进行了分析对比.结果表明,AMR检测磁头输出信号形状与幅度及其倍频特性与理论计算结果是相符的. | 王立锦 胡强 滕蛟 朱逢吾 | 2004 | 北京科技大学学报2004，26，5： | 14 |
| 2 | 退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响显示文摘通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明 ,真空退火对自旋阀的性质有影响 .低于 2 0 0℃的退火能有效的提高钉扎场 ;退火温度高于 2 0 0℃时 ,自旋阀的钉扎场要下降 ,其他性能也恶化 ;在 30 0℃时 ,钉扎场降为零 ,giantmagnetoresistance(GMR)现象消失 .俄歇电子能谱仪 (AES)的结果表明 。 | 柴春林 滕蛟 于广华 朱逢吾 赖武彦 肖纪美 | 2002 | 物理学报2002，51，8： | 10 |
| 3 | 创新型人才培养的探索与实践——以北京科技大学材料专业为例显示文摘探索高校人才培养新模式,培养创新型材料人才,是深化高等教育改革的需要,更是创新型国家建设的要求。北京科技大学在材料类人才培养过程中,依托学科优势,按照'启发创新思想、强化创新基础、培养创新能力'的理念,经过多年的探索和实践,构建了'四阶递进、三体并举'的材料类创新型人才培养体系,从而达到培养学生创新精神、提高学生创新能力、增强创新人才培养实效的目的。 | 李磊 滕蛟 于广华 曲选辉 | 2015 | 北京教育(高教)2015，，1： | 7 |
| 4 | Ag和Ti底层对[Fe/Pt]_n多层膜有序化的影响显示文摘利用磁控溅射的方法,在热玻璃基片上制备了以Ag,Ti,Cu,Cr,Pt和Ta为底层的[Fe/Pt]n多层膜,后经不同温度真空热处理,得到L10有序结构的FePt薄膜(L10-FePt).实验结果表明,以Ag和Ti为底层,通过采用基片加温,同时利用[Fe/Pt]n多层膜结构,可以促进FePt薄膜的有序化过程,使FePt-L10有序化温度从500℃降低到350℃.在较高的温度下退火,以Ag为底层对薄膜的磁性能影响较小,而以Ti为底层在高于500℃退火后,矫顽力明显下降.在400℃退火20min后,以Ag和Ti为底层的样品平行膜面的矫顽力分别达到597kA/m和645kA/m,剩磁比分别达到0·81和0·94,为将来FePt-L10有序相合金薄膜用于未来超高密度磁记录介质打下基础. | 冯春 李宝河 滕蛟 杨涛 于广华 | 2005 | 物理学报2005，54，10： | 7 |
| 5 | Al_2O_3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究显示文摘各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响。结果表明:由于Al2O3层的'镜面反射'作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值,当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%。性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的'镜面反射'作用外,抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素。 | 丁雷 王乐 滕蛟 于广华 | 2009 | 稀有金属2009，33，1： | 7 |
| 6 | NiFe/FeMn双层膜交换偏置的形成及热稳定性研究显示文摘研究了在铁磁 (NiFe) 反铁磁 (FeMn)双层膜之间 ,交换偏置的形成过程和热稳定性 ,特别是NiFe FeMn的交换偏置作用与FeMn层晶粒尺寸的关系 .和以前作者不同的是 ,本文方法采用非磁性Ni Fe Cr合金作缓冲层材料 ,改变Cr的含量就可以获得不同晶粒尺寸的反铁磁FeMn层 .实验表明 ,晶粒尺寸较小的FeMn产生较强的铁磁 反铁磁交换偏置场 ;但是 ,对于较大晶粒的FeMn层 ,出现交换偏置作用所要的临界厚度较小 .这符合Mauri提出的理论模型 .交换偏置场的热稳定性实验表明 ,具有较大晶粒尺寸的FeMn层给出较高的偏置场的截止温度 .这和Noshioka的实验与理论一致 ,即较大的反铁磁层晶粒具有较大的激活能和较长的弛豫时间 . | 滕蛟 蔡建旺 熊小涛 赖武彦 朱逢吾 | 2004 | 物理学报2004，53，1： | 7 |
| 7 | (Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(1-x)Cr_x作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响显示文摘采用一种新的种子层材料 :(Ni0 81 Fe0 1 9) 1 -xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量 ,使得在其上生长的NiFe FeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异 ,系统研究了NiFe FeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响 .实验结果表明 ,在FeMn的γ相 (111)织构较好的前提下 ,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系 ;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响 ,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利 ,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场 .将 (Ni0 81 Fe0 1 9) 0 5Cr0 5与传统的种子层材料Ta进行了对比 ,发现前者具有很多优点 。 | 滕蛟 蔡建旺 熊小涛 赖武彦 朱逢吾 | 2002 | 物理学报2002，51，12： | 6 |
| 8 | Cu掺杂对Fe_xPt_(1-x)薄膜有序化的影响显示文摘利用磁控溅射制备了薄膜厚度为50nm的系列(FexPt1-x)100-yCuy(x=0·46—0·56,y=0,0·04,0·12)样品.利用直流共溅射方法精确控制Fe和Pt的原子比.实验结果表明,当x>0·52时,样品中添加Cu不能促进FePt的有序化,但是对于FePt化学原子定比或富Pt的样品,添加Cu可以促进FePt有序化,而且随着Fe含量的减少,需要更多的Cu添加才能实现较低温度下FePt薄膜的有序化.实验结果表明,原子比(FeCu)/Pt达到1·1—1·2的范围时,即可实现较低温度的有序化. | 李宝河 冯春 杨涛 翟中海 滕蛟 于广华 朱逢吾 | 2006 | 物理学报2006，55，5： | 4 |
| 9 | 纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响显示文摘采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的'镜面反射'作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。 | 王东伟 丁雷 王乐 滕蛟 于广华 | 2007 | 真空电子技术2007，20，3： | 4 |
| 10 | 磁电阻薄膜材料噪声研究进展显示文摘磁电阻薄膜材料中的噪声表现出1/f特征,1/f噪声深刻地反映着介观系统内部的输运机制和磁序转变过程。系统总结了磁电阻薄膜中的1/f噪声理论,指出1/f噪声可分为磁1/f噪声和电1/f噪声,前者是1/f噪声的主要部分。1/f噪声与磁电阻薄膜的制备方式、内部缺陷、磁畴分布、体系结构和界面因素都有密切关系。改善界面结构和提高磁畴的稳定性可以改善1/f噪声。1/f噪声在检测器件稳定性和表征磁化转变过程方面有着非常重要的实际应用。 | 李建伟 于广华 滕蛟 | 2012 | 磁性材料及器件2012，43，4： | 3 |
| 11 | 基于WSN的公交车辆信息采集系统网络性能评价方法显示文摘在分析公交车辆信息采集需求的基础上,提出了运用通信网络仿真技术对WSN的公交信息采集系统性能的评价方法.基于OPNET建立了一个公交信息采集和传输的模型,通过对不同的场景进行仿真得到了决定公交信息采集系统网络性能的参数,仿真结果验证了WSN实现连续采集传输数据的能力、预测了系统可靠性及数据准确性,实现了对基于WSN的公交信息采集系统网络整体性能的评价. | 潘振兴 杨晓光 潘玉琪 滕蛟 | 2009 | 武汉理工大学学报(交通科学与工程版)2009，33，5： | 3 |
| 12 | FePt/Cu多层膜化降低L1_0-FePt有序化温度显示文摘采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜,再经不同温度下真空热处理得到有序L10-(FePt)100-xCux薄膜.结果表明,Cu的添加可以降低FePt薄膜有序化温度.[FePt(4nm)/Cu(0.2nm)]10多层膜在350℃热处理1h后,有序度增至0.6,矫顽力达到421kA/m.对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度下进行的热力学和动力学因素进行了讨论. | 李宝河 黄阀 杨涛 冯春 滕蛟 朱逢吾 | 2005 | 金属学报2005，41，6： | 3 |
| 13 | Bi底层对FePt薄膜的影响显示文摘利用磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了以Bi为底层的FePt薄膜,经不同温度真空热处理得到L10-FePt薄膜.研究了Bi做底层对FePt薄膜的有序化温度及矫顽力Hc的影响.实验结果表明:以Bi做底层的FePt薄膜在350℃实现低温有序,同时其Hc也有大幅度提高,并且可以在更大成分范围内获得Hc较高的L10-FePt薄膜.利用X射线光电子能谱研究了薄膜中Bi原子的分布情况,利用X射线衍射研究了薄膜的晶体学结构变化.结果表明,Bi底层在退火过程中的扩散促进了FePt薄膜有序度的升高. | 冯春 李宝河 韩刚 滕蛟 姜勇 刘泉林 于广华 | 2006 | 物理学报2006，55，12： | 3 |
| 14 | 老年胃肠道肿瘤病人术前营养支持治疗研究进展显示文摘在胃肠外科病房中,老年胃肠道肿瘤病人住院比例逐渐增多,胃肠道肿瘤可导致营养不良的快速发生,大多数老年胃肠道肿瘤病人在入院诊治时就已面临严重的营养风险,营养不良增加术后死亡率和并发症发生率,但老年病人术前营养不良难以诊断和治疗,运用合适的营养评估工具进行营养风险评估,并在术前展开合理的营养支持治疗,能够帮助老年胃肠道肿瘤病人顺利度过围手术期,降低术后死亡率和并发症发生率,减少住院日,改善预后。 | 滕蛟 吴瑞乔 | 2022 | 安徽医药2022，26，11： | 3 |
| 15 | 利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L1_0-FePt薄膜显示文摘利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了[FePt/Au]10多层膜,并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力(HC)、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明:FePt/Au多层膜在退火后具有较高的HC、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明:Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配,从而促进薄膜的垂直磁各向异性;同时,采用FePt/Au多层膜结构增加了FePt/Au界面能、应力能以及Au原子在薄膜中的扩散作用,促进了薄膜的有序化,从而有效降低了有序化温度,并且大幅度提高其HC.此外,Au原子部分扩散到FePt相的边界处,起到抑制FePt晶粒生长、隔离FePt颗粒的作用,从而显著降低了FePt晶粒的尺寸和颗粒间磁交换耦合作用. | 冯春 詹倩 李宝河 滕蛟 李明华 姜勇 于广华 | 2009 | 物理学报2009，58，5： | 3 |
| 16 | 磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜显示文摘用磁控溅射在热单晶MgO(100)基片上制备了[FePt/BN]多层膜,经真空热处理后,得到具有垂直取向L10-FePt/BN颗粒膜.X射线衍射结果和磁性测量的结果表明,[FePt(2nm)/BN(0·5nm)]10和[FePt(1nm)/BN(0·25nm)]20多层膜经700℃热处理1h后,均具有较好的(001)取向.[FePt(1nm)/BN(0·25nm)]20垂直矫顽力达到522kA/m,剩磁比达到0·99,开关场分布S*达到0·94,FePt晶粒平均尺寸约15—20nm,适合用于将来超高密度的垂直磁记录介质. | 李宝河 冯春 杨涛 翟中海 滕蛟 于广华 朱逢吾 | 2006 | 物理学报2006，55，5： | 3 |
| 17 | 磁性薄膜噪声测量系统研制显示文摘利用惠斯通电桥和两极放大电路在磁屏蔽腔中设计开发了磁性薄膜低频噪声测量系统。通过内推法和外比法测试证明该系统测量精度高,稳定性好,能够完成加磁场环境下的低频噪声测量。利用此系统发现各向异性磁电阻元件在退火后1/f噪声明显降低。该装置对于磁性薄膜提供了一种非破坏的有效检测手段,同时也提供了检测磁性转变内在机制的一种有效途径。 | 李建伟 滕蛟 | 2012 | 磁性材料及器件2012，43，2： | 2 |
| 18 | 非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响显示文摘采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件。测量了NiFe元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明,理论和实验符合。 | 张辉 滕蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾 | 2007 | 功能材料与器件学报2007，13，5： | 2 |
| 19 | 一种具有消谐波正弦输出的AMR薄膜磁头设计显示文摘设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头,这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试,表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比,可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器角度测量系统中。 | 王立锦 胡强 滕蛟 | 2006 | 电子器件2006，29，1： | 2 |
| 20 | 具有垂直各向异性(Pt/Co)_n/FeMn多层膜的交换偏置显示文摘采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜.研究结果表明,多层膜的垂直交换偏置场Hex和反铁磁层厚度的关系与其具有平面各向异性的交换偏置场随反铁磁层厚度变化趋势相近.随着铁磁层调制周期数的增加,垂直交换偏置场Hex相应减小,并且与铁磁层的调制周期数近似成反比关系.(Pt/Co)3/FeMn的垂直交换偏置场Hex已经达到22·3kA/m.为了进一步提高Hex,在Co/FeMn的界面插入Pt层,当Pt层厚度为0·4nm时,Hex达到最大值39·8kA/m. | 翟中海 滕蛟 李宝河 王立锦 于广华 朱逢吾 | 2006 | 物理学报2006，55，4： | 2 |
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