| 1 | 一步法可控减薄和掺杂二维过渡金属硫族化合物(英文)显示文摘二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)具有超薄结构,且其电学、光学性质对厚度具有很强的依赖性,近年来备受研究者们的广泛关注.如何控制TMDCs的厚度和掺杂,是其未来应用的关键所在.本文提出了一种简单高效的HAuCl4处理方法,实现了TMDCs的一步法可控减薄和掺杂,可以制备出薄层及单层TMDCs,同时实现了对MoS2的可控p型掺杂.本文系统研究了关键实验参数的影响,并基于此提出了金插层辅助减薄和掺杂TMDCs的机理.研究还发现该方法具有普适性,可以实现对多种TMDCs的可控减薄,包括MoSe2,WS2, WSe2.电学测试表明, HAuCl4处理后的MoS2纳米片具有更高的场效应晶体管开关比,其阈值电压向正电压方向偏移.本工作提出的这种控制二维TMDCs材料厚度和掺杂的方法,对其未来在高性能电子和光电器件的应用具有一定参考价值. | 任洁 腾长久 蔡正阳 潘海洋 刘佳曼 赵悦 刘碧录 | 2019 | Science China Materials2019，62，12： | 5 |
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