|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 静电放电电磁场的特性及分布规律显示文摘现行的静电放电(ESD)抗扰度测试标准IEC 61000-4-2只规定了放电电流的波形,没有对实验平台上的辐射场进行说明,经常会出现实验结果不一致的情况。为解决静电放电抗扰度实验重复性差的问题,选取3种不同厂商生产的符合IEC标准规定的静电放电模拟器进行实验,并在不同位置测量放电过程中产生的磁场和电场。实验结果表明:在严格控制实验条件的情况下,模拟器的重复性可以得到保证。距离放电点较近处,不同品牌模拟器产生的电磁场一致性较差,但随着测试距离的增大差异逐渐减小。抗扰度实验平台上磁场强度随着测试距离的增加单调减少,而电场强度先减小,在靠近金属板边缘处反而增大。此外,电场和磁场均在距放电点20cm区域内变化剧烈,40cm以外区域内变化缓慢。所以,新的静电放电抗扰度测试标准应该规范放电过程中的电磁场,适当增大放电点和受试设备间的距离可提高抗扰度实验结果的一致性,并通过提高放电电压来保证测试的严酷等级。 | 刘进 陈永光 谭志良 李名杰 | 2012 | 高电压技术2012,38,2: | 43 |
| 2 | 静电防护工程的研究与进展显示文摘静电放电已成为信息化时代的公害之一 ,它不仅是危险场所的点火源、引爆源 ,而且是信息化设备的电磁干扰源。文章在论述静电放电危害、静电放电的特点、作用机理和形成静电危害基本条件的同时 ,报道了我国在静电检测与静电防护工程研究方面的成果与进展 ,提出了“信号自屏蔽 -电荷耦合”测试原理、真实静电感度测试方法、织物电位测试方法和人体静电动态电位测试技术 ,建立了电火工品静电发火数理模型、“静电危险场所”等级划分标准和分类防护措施、预测静电危害的逻辑关系图和静电防护的一般原则与对策。文章介绍了部分实验数据和该领域当前研究的热点问题及发展趋势。 | 刘尚合 谭志良 武占成 | 2000 | 中国工程科学2000,2,11: | 25 |
| 3 | 静电放电电磁脉冲的实验研究显示文摘利用单极子天线对静电放电产生的电磁脉冲进行了实验研究。测量表明,静电放电电磁脉冲辐射场为脉冲持续时间百纳秒的窄脉冲,但在距离放电源几米以内,其场强很大,典型值可达千伏每米量级,其频谱主要分布在几十到几百兆赫,典型的频谱上限值可以达到几个吉赫。 | 陈砚桥 刘尚合 武占成 谭志良 | 1999 | 强激光与粒子束1999,11,3: | 22 |
| 4 | 常用静电测量技术及其特点显示文摘在介绍静电主要参数的基础上,说明了静电电位、静电电荷量和静电感度的测量方法,并对各种测量方法的特点和适用范围作了简要介绍。 | 张荣奇 谭志良 林永涛 谢鹏浩 | 2007 | 装备环境工程2007,4,5: | 21 |
| 5 | 射频前端强电磁脉冲防护模块设计显示文摘基于PIN二极管射频限幅的原理,分析了尖峰泄露产生的原因并提出了解决方法。在此基础上采用无源多级PIN二极管结构,提取相应防护电路的S参数,以设计优化匹配网络,研制了工作于1~200MHz、插入损耗小于0.156dB、响应时间小于1ns的射频前端电磁脉冲防护模块。结合PIN二极管模型,利用ADS仿真软件对电磁脉冲防护模块限幅性能进行仿真,并对加工出来的电磁脉冲防护模块进行了测试,结果验证了各项指标满足要求。 | 李亚南 谭志良 宋培姣 | 2018 | 强激光与粒子束2018,30,1: | 13 |
| 6 | 射频前端强电磁脉冲防护研究进展显示文摘未来战争条件下,人为产生的强电磁环境的攻击对通信系统构成了重大威胁,其射频前端电路在强电磁脉冲环境条件下,极易出现性能降级和损毁,导致通信系统工作异常甚至完全失效.因此,研究强电磁环境效应以及强电磁脉冲防护理论与方法,对于提高通信装备在强电磁环境下的生存能力具有重要的意义.文中阐述和分析了射频前端强电磁脉冲防护的的研究内容,并围绕电磁脉冲效应研究、电磁脉冲防护技术研究、电磁脉冲防护标准与效能评估这3个基本内容,从理论分析、建模仿真和实验评价等角度对现阶段国内外开展的电磁脉冲防护研究工作进行了概述和分析,并对射频前端强电磁防护的研究方向和研究重点进行了展望. | 谭志良 李亚南 宋培姣 | 2020 | 北京理工大学学报2020,40,3: | 11 |
| 7 | 集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性显示文摘为了分析复杂波形脉冲注入对集成电路的损伤特点,找出不同波形参数的脉冲注入损伤效应相关性,用方波脉冲和不同模型的静电放电(ESD)对5种具有典型代表意义的集成电路器件进行注入损伤效应实验,并给出了器件的损伤电压、损伤功率、损伤能量等值。采用曲线拟合的分析法,基于实验数据建立起脉冲特性参数与器件损伤参数间的数学关系,其函数拟合精度很高,可为进一步研究器件的电磁损伤机理提供指导。实验结果表明:能量型损伤为集成电路器件损伤的一种主要形式,其损伤机理是由于在PN结上的能量积累使得温度升高而最终热烧毁。各器件的能量损伤阈值与其平均值相比,平均变化区间度处于10%~20%之间,故能量可作为这种损伤模式的主要判定参数。静电放电的损伤阈值普遍略小于方波脉冲的损伤阈值,但不同脉冲注入下器件的损伤规律类似,只有量的不同而没有质的不同。 | 刘进 陈永光 谭志良 陈京平 | 2011 | 高电压技术2011,37,7: | 11 |
| 8 | 基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护模块设计与研究显示文摘为了研究PIN二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于PIN二极管时域等效电路模型,仿真研究了PIN二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参数,设计了一款基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护电路模块,并对防护电路模块的快上升沿电磁脉冲防护性能进行了测试。结果表明:在1~250 MHz短波、超短波频段内,防护模块的插损小于0. 38 d B;当输入方波脉冲为4 000 V时,限幅响应时间小于2 ns,输出电平小于30 V,满足快上升沿电磁脉冲的防护要求。 | 李亚南 谭志良 | 2018 | 兵工学报2018,39,10: | 11 |
| 9 | ESD脉冲对集成电路损伤效应的实验研究显示文摘为了研究复杂波形脉冲对集成电路的损伤效应,用改变ESD模拟器放电参数产生的不同的静电放电脉冲对某集成电路芯片进行了注入损伤效应实验。给出了各主要的损伤参数与放电电压的散点图。并借助曲线拟合的方法进行了分析。结果表明:IC芯片注入通路上的电阻在脉冲波形发生变化时变化不大。电流随放电电压增大;芯片上的峰值功率及峰值能量与放电电压满足P(W)=AUD^B。最后,比较了各脉冲注入下器件的主要参数损伤阈值,得到结论:ESD模拟器放电参数改变对器件损伤阈值大小的影响在1~2倍间。相同参数在不同注入脉冲下的阈值处于同数量级。 | 陈京平 刘尚合 谭志良 贺其元 | 2007 | 高电压技术2007,33,3: | 10 |
| 10 | 复杂电磁环境对雷达与指控系统的影响显示文摘防空群雷达与指控系统在信息传输、融合与处理过程中的媒介是电磁波,其作战效能的发挥在复杂战场电磁环境下面临严峻挑战。结合部队维修保障经验,归纳了防空群雷达与指控系统在复杂电磁环境下演习和训练中反复出现的3类问题,设备出厂性能检验合格,实际投入系统使用效果不佳;雷达与指控系统内部不能同时开机,自扰互扰问题严重;敏感设备、单元及端口极易受高功率电磁能量损伤。由此总结出一类共性问题——缺乏系统级电磁环境效应综合评估方法。最终给出解决问题所需开展的关键技术研究。 | 王玉明 谭志良 毕军建 | 2013 | 装备环境工程2013,10,3: | 8 |
| 11 | 基于短波通信的射频前端电磁脉冲防护模块仿真与设计显示文摘随着通信系统面临的电磁工作环境越来越严峻,高功率容量、低插损、快响应时间的电磁脉冲防护模块对其射频前端电路的保护越发的重要起来.本文主要基于PIN二级管射频限幅的原理,构建了PIN二极管的时域等效电路模型,利用去嵌入阻抗场计算方法提取相应电路的S参数,优化设计匹配网络,并采用无源多级PIN二极管结构,设计了一个工作于0~200MHz,插入损耗小于0.15d B,驻波比小于1.4d B,响应时间小于1ns的短波通信电磁脉冲防护模块.结合PIN二极管时域等效电路模型,利用先进设计系统(Advanced Design System,ADS)仿真软件对电磁脉冲防护模块限幅性能进行仿真,并对加工出来的电磁脉冲防护模块进行了测试,结果验证了各项指标满足要求. | 李亚南 谭志良 彭长振 | 2018 | 电子学报2018,46,6: | 8 |
| 12 | 防静电阻隔包装材料发展动态及其防静电机理探讨显示文摘简述了因包装引起的静电危害以及国内外关于防静电阻隔包装材料方面的相关标准 ,分析了目前防静电阻隔包装材料的现状及其未来的发展方向。在对防静电阻隔包装材料结构进行分析的基础上 。 | 谭志良 陶凤和 刘尚合 魏光辉 陈政新 | 2000 | 包装工程2000,21,1: | 8 |
| 13 | 电子设备高功率电磁辐照效应显示文摘用GW级超宽带电磁脉冲辐射装置实验研究了某电子系统的辐照效应,分析了开、关门状态下设备内04、08号分系统各检测点及接收天线在不同方位时02号分系统检测点上的响应特性,结果表明:在场强E=20kV/m的超宽带源(上升时间0.3ns,脉宽3~4ns)辐照时,开门时电路上及天线最佳耦合状态下设备02分系统电路上的响应的电压均可达1.6kV;开、关门时设备响应的带宽均为0~500MHz,主频约70MHz。 | 谭志良 刘尚合 林永涛 国海广 | 2005 | 高电压技术2005,31,10: | 7 |
| 14 | 基于CST软件的电火工品射频安全性分析显示文摘为了研究电火工品在复杂电磁环境下的射频安全性,针对某型电火工品建立了偶极子天线模型。基于CST电磁仿真软件,仿真得到了该天线模型的增益参数,进一步仿真计算得到了在频率为0.75GHz、电场强度为195V/m的电磁环境下,进入到该电火工品的射频功率,并与实际计算结果进行了对比验证。通过多频点仿真计算,得到了该天线模型的增益随频率变化的规律,即在0.5~2.0GHz的频率范围内,天线模型的增益随着频率的增大而增大。 | 杨培杰 谭志良 谢鹏浩 纵兆春 | 2012 | 爆破器材2012,41,5: | 7 |
| 15 | 射频前端强电磁脉冲前门耦合研究显示文摘针对强电磁脉冲能量经天线进入射频前端的威胁,给出强电磁脉冲环境的评估方法,通过分析天线-射频前端工作原理,提出全频带脉冲耦合能量的理论计算公式。并以中馈天线-短波电台为例,用电磁仿真软件CST实现了天线仿真与前端电路仿真的有机连接,得出前门耦合数据及其影响因素,此仿真方案也为更深入分析耦合效应、验证防护技术提供了良好平台。最后根据仿真为前门防护提出若干意见。 | 李名杰 谭志良 耿利飞 | 2013 | 现代防御技术2013,41,4: | 7 |
| 16 | 船载动中通卫星天线系统的应用显示文摘本文介绍了船载动中通卫星通信天线系统在实船上的应用,希望为船舶行业设计者提供一定参考。 | 马国霞 谭志良 | 2012 | 广东造船2012,31,4: | 6 |
| 17 | 跳频通信干扰抑制中的改进自适应对消技术显示文摘与传统阻塞式干扰对短波跳频通信的干扰相比,以通过侦查截获跳频的频率进行干扰的跟踪干扰方法对跳频的干扰更具有针对性。然而干扰信号的处理时间、干扰机与发射机接收机之间的距离等使得跳频信号与干扰信号存在时延。为解决以上问题,提出了一种基于二级最小均方(LMS)算法的自适应对消技术。同时,在理论分析的基础上重点对所提出的改进的LMS算法应用在FPGA平台上进行仿真实验。首先,通过Simulink仿真平台模拟有用跳频信号与干扰信号建立自适应算法仿真平台;其次,通过ISE软件仿真得到原始信号及抵消后的波形;最后,通过Matlab仿真得到抵消前后信干比数值。仿真实验表明该算法具有良好的抑制效果。 | 吴奇 谭志良 周宇 | 2018 | 空军工程大学学报(自然科学版)2018,19,4: | 6 |
| 18 | 集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系显示文摘利用静电放电(ESD)模拟器对集成电路芯片进行电压注入损伤效应实验,通过存贮示波器记录的波形进行乘法和积分运算,得到对应注入电压下芯片上吸收的平均峰值功率和能量.对放电电压与平均峰值能量作散点图,采用曲线拟合的方法对离散点进行拟合,针对该曲线拟合的方法进行了分析,最终建立了ESD注入电压与平均峰值能量之间的数学模型. | 谭志良 刘尚合 林永涛 刘存礼 国海广 杨洁 | 2005 | 军械工程学院学报2005,17,3: | 5 |
| 19 | 集成电路方波脉冲注入损伤效应实验研究显示文摘为了得到各损伤参数随脉宽的变化规律,寻找建立评价复杂EMP波形对集成电路损伤模型的依据,对2种典型的集成电路器件进行了方波脉冲注入损伤实验.结果表明:RAM6264损伤电压、电流及功率均随脉宽增大而减小,损伤能量处于某一小范围之内,可能属于能量损伤型器件;BG305损伤电压、功率随脉宽增大而减小,损伤能量随脉宽增大而增大,损伤电流处于某一个小范围之内,可能属于电流损伤型器件. | 陈京平 刘尚合 谭志良 贺其元 | 2006 | 军械工程学院学报2006,18,2: | 5 |
| 20 | 溶胶-凝胶技术用于有机-无机杂化涂料的研究进展显示文摘溶胶-凝胶技术(Sol-Gel)是近年来新兴的涂层制备方法,作为一种重要的化学合成方法和具有的优势使其适用于制备有机-无机杂化涂料(OIHC)。对利用Sol-Gel制备杂化涂层的原理、步骤及国内外研究进展进行了综述,提出了一种制备杂化涂料的新思路,并重点阐述了这一研究领域新的应用方向,因该涂料兼具了有机相和无机相的双重特点和优异性能,使其在重防腐领域有着十分广阔的应用前景。 | 吴刚 谭志良 郭丽 | 2018 | 现代涂料与涂装2018,21,8: | 5 |