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| 1 | 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性显示文摘影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索. | 郑玉展 陆妩 任迪远 王义元 郭旗 余学锋 何承发 | 2009 | 物理学报2009，58，8： | 20 |
| 2 | 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应显示文摘通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量率下过量基极电流明显增大 .而辐照后 npn管比 pnp管具有更大的有效表面复合面积 ,致使前者比后者有更大的表面复合电流 ,从而导致了在各种剂量率辐照下 ,npn管比 pnp管对电离辐射都更为敏感 . | 张华林 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 何承发 艾尔肯 崔帅 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，12： | 19 |
| 3 | 双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性显示文摘对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。 | 陆妩 余学锋 任迪远 艾尔肯 郭旗 | 2005 | 核技术2005，28，12： | 17 |
| 4 | X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究显示文摘本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。 | 吴正新 何承发 陆妩 郭旗 艾尔肯阿不列木 于新 张磊 邓伟 郑齐文 | 2013 | 核技术2013，36，6： | 15 |
| 5 | 双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法显示文摘介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。 | 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 郭旗 余学峰 | 2009 | 原子能科学技术2009，43，9： | 13 |
| 6 | 4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流显示文摘研究分析了4000系列CMOS器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特征及其与加固水平的关系;控讨了辐射感生静态功耗电流。 | 余学锋 任迪远 陆妩 张国强 郭旗 严荣良 | 1997 | 核技术1997，20，1： | 11 |
| 7 | 双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究显示文摘对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。 | 任迪远 陆妩 余学锋 郭旗 艾尔肯 | 2006 | 固体电子学研究与进展2006，26，4： | 11 |
| 8 | 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响显示文摘对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管的结果显示,发射极面积越小,损伤越大;不同掺杂浓度的LPNP管的结果则表明,轻掺杂的发射极比重掺杂的具有更高的辐射敏感性。对各种实验现象的损伤机理进行了较详细的分析。 | 陆妩 郑玉展 任迪远 郭旗 余学峰 | 2010 | 原子能科学技术2010，44，1： | 11 |
| 9 | 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析显示文摘为了对双极线性稳压器在电离辐射环境下损伤变化特征及其剂量率效应进行研究,选择一组器件进行60Coγ高低剂量率的辐照和退火试验.结果表明线性稳压器的输出电压、最大负载电流、线性调整率、压降电压等多个关键参数都有不同程度的蜕变.且各器件在高低剂量率下的辐照响应略有不同,表现出不同的剂量率效应.文中通过多种形式的测试结果分析,系统地讨论了各参数变化的原因及其内部各模块对稳压器功能的影响.结合电离损伤退火特性,探讨了各剂量率效应形成的原因.这不但对工程应用考核提供了参考,而且为设计抗辐射加固器件提供了指导. | 王义元 陆妩 任迪远 郭旗 余学峰 何承发 高博 | 2011 | 物理学报2011，60，9： | 11 |
| 10 | 双极运算放大器的辐射效应和退火特性显示文摘本文介绍了OP-07双极运算放大器的60Coγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60Coγ和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应,揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律;研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理;并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60Coγ和电子辐照损伤的差异进行了探讨.结果表明,界面态的产生是60Coγ和电子辐照损伤的主要原因,而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位. | 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 范隆 张国强 严荣良 | 1998 | Journal of Semiconductors1998，19，5： | 10 |
| 11 | 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响显示文摘研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应。在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性。试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加。分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论。 | 孙静 郭旗 张军 任迪远 陆妩 余学锋 文林 王改丽 郑玉展 | 2009 | 微电子学2009，39，1： | 9 |
| 12 | 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应显示文摘对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别. | 陆妩 任迪远 郭旗 余学峰 艾尔肯 | 2005 | Journal of Semiconductors2005，26，7： | 9 |
| 13 | CMOS运算放大器的电子和^(60)COγ辐照效应及退火特性显示文摘研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律,并通过对其电高辐照敏感参数,辐照后在室温和100℃高温条件下,随时间变化关系的分析,探讨了引起电参数失效的机理。结果表明,由于电离辐射产生的界面态增加,引起的多数载流子迁移率的减小,导致MOSFET跨导的下降,是造成CMOS运算放大器电路失效的主要机制,也是引起1MeV电子辐照的损伤敏感度明显大于~60Coγ射线的原因所在。 | 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 张国强 严荣良 | 1998 | 固体电子学研究与进展1998，18，3： | 9 |
| 14 | 含N薄栅介质的电离辐照及退火特性显示文摘对含N薄栅MOS电容进行了60Coγ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中N的引入,能明显抑制辐射感生Si/SiO2界面态的产生,减少初始固定正电荷和界面态,减小辐照后界面陷阱的退火速率.用一定模型解释了实验结果. | 张国强 陆妩 余学锋 郭旗 任迪远 严荣良 | 1999 | Journal of Semiconductors1999，20，5： | 9 |
| 15 | 线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估显示文摘利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了^(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退火特性研究。同时,探讨了运算放大器电离辐射损伤水平的评估方法和损伤机制。 | 任迪远 陆妩 余学峰 范隆 高文钰 严荣良 | 1993 | 核技术1993，16，9： | 8 |
| 16 | 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用显示文摘对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。 | 费武雄 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 | 2010 | 原子能科学技术2010，44，12： | 8 |
| 17 | 不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响显示文摘 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关机理进行了探讨。 | 张华林 陆妩 任迪远 崔帅 | 2004 | 微电子学2004，34，6： | 8 |
| 18 | 线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应显示文摘为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究,选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应,对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示,器件输出电压、线性调整率、负载调整率等关键参数在电离辐射环境下发生不同程度变化。在零偏条件下,低剂量率(LDR)下损伤明显大于高剂量率(HDR)条件,表现出低剂量率损伤增强效应;而在工作偏置条件下,高剂量率辐照损伤大于低剂量率的,退火实验中,发生损伤恢复现象,表现为时间相关效应。在整个辐照和退火过程中,零偏置损伤比工作偏置损伤大。 | 王义元 陆妩 任迪远 高博 席善斌 许发月 | 2010 | 原子能科学技术2010，44，B09： | 7 |
| 19 | 双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法显示文摘对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的60 Coγ辐照实验。结果表明:偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不同公司的双极电压比较器存在辐射响应差异,而同一公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的辐照损伤趋势亦不同;变温辐照加速评估方法不仅可鉴别上述不同公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的剂量率效应,而且能很好地模拟和保守地评估其低剂量率下的辐照损伤。 | 马武英 陆妩 郭旗 吴雪 孙静 邓伟 王信 吴正新 | 2014 | 原子能科学技术2014，48，11： | 7 |
| 20 | 模数转换器的^(60)Coγ射线和电子辐照效应显示文摘研究了CMOS模数转换器ADC081660的Coγ射线和电子辐照应及退火特性,并通过分析ADC的电离辐射损伤机制,对其辐射敏感参数。 | 郭旗 任迪远 范隆 陆妩 余学锋 严荣良 | 1997 | 核技术1997，20，1： | 7 |
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