| 1 | Three-layer phosphorene-metal interfaces显示文摘Phosphorene 最近由于它的高级搬运人活动性和悦耳的直接 bandgap 在电子的 nanoscale 和 optoelectronic 设备作为其他的隧道材料吸引了许多注意。与单层(ML ) 相比 phosphorene,很少层(FL ) phosphorene 更容易准备,在实验是更稳定的,并且被期望在 phosphorene 金属接口形成更小的 Schottky 障碍高度(SBH ) 。用 ab initio ,电子结构计算和量搬运模拟,我们执行界面的性质的系统的研究三层( 3L ) phosphorene 领域效果晶体管(联邦货物税)与几普通金属联系了(艾尔, Ag , Au , Cu , Ti , Cr , Ni ,并且 Pd )第一次。从投射乐队在垂直方向获得的 SBH 3L phosphorene 金属系统组织到左 bilayer (2L ) phosphorenes 是可比较的,那些为 2L phosphorene 联邦货物税从量运输模拟在侧面的方向获得了。当分别地, Ag 和 Cu 被用作电极,p类型 Schottky 与 0.05 的洞 SBH 联系时,为 3L phosphorene 联邦货物税的量运输模拟证明 3L phosphorene 在侧面的方向与 0.16 和 0.28 eV 的电子 SBH 形成n类型 Schottky 接触, 0.11 , 0.20 ,在侧面的方向的 0.30 , 0.30 ,和 0.31 eV 当 Cr , Pd , Ni , Ti ,艾尔,和 Au 分别地被用作电极时。3L phosphorene 联邦货物税的计算极性和 SBH 通常与可得到的实验一致。 | Xiuying Zhang Yuanyuan Pan Meng Ye Ruge Quhe Yangyang Wang Ying Guo Han Zhang Yang Dan Zhigang Song Jingzhen Li Jinbo Yang Wanlin Guo Jing Lu | 2018 | Nano Research2018，11，2： | 2 |
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