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| 1 | 静电纺丝技术制备Gd_3Ga_5O_(12)∶Eu^(3+)多孔发光纳米带显示文摘采用静电纺丝技术制备了PVP/[Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带,将其进行热处理,得到了Gd3Ga5O12∶Eu3+(简称GGG∶Eu3+)多孔发光纳米带.采用XRD,SEM,TEM,TG-DTA,FTIR和荧光光谱等技术对样品进行了表征.PVP/[Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带为非晶态,经800℃焙烧8h后,获得了单相石榴石型的GGG∶Eu3+纳米带,属于立方晶系,空间群为Ia3d.复合纳米带表面光滑,尺寸均一,平均宽度约10μm,厚度约为100nm,彼此没有交联;经800℃焙烧后GGG∶Eu3+多孔纳米带平均宽度约2.5μm,厚度30nm,长度大于500μm,呈多孔网状多晶结构.当焙烧温度高于700℃时,复合纳米带中DMF、有机物和硝酸盐分解挥发完全,总失重率为93.1%.焙烧温度为800℃时,生成了纯净的无机氧化物.在254nm的紫外光激发下,GGG∶Eu3+纳米带发射出主峰位于591nm的明亮红光,属于Eu3+的5D0→7F1跃迁.对GGG∶Eu3+纳米带形成机理进行了讨论. | 刘莹 王进贤 董相廷 刘桂霞 | 2010 | 高等学校化学学报2010，31，7： | 18 |
| 2 | NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究显示文摘采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35~55 nm;第二层为SnO2,厚度为30~50 nm;第三层为Zn2TiO4,厚度为25~40 nm;壳层为TiO2,厚度为40~90 nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨. | 宋超 董相廷 王进贤 刘桂霞 | 2011 | 化学学报2011，69，20： | 6 |
| 3 | 同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆显示文摘采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、硝酸锌、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿为原料,制备了ZnO@CeO2同轴纳米电缆.用差热-热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,所得产物为ZnO@CeO2同轴纳米电缆,以晶态CeO2为壳层,晶态ZnO为芯层,电缆直径约90 nm,芯层直径约60 nm,壳层厚度约15 nm,电缆长度大于300μm,并分析了其形成机理. | 徐淑芝 董相廷 盖广清 刘桂霞 王进贤 鲁统晓 | 2011 | 高等学校化学学报2011，32，6： | 4 |
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