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| 1 | 静电纺丝技术制备聚合物基中空结构材料显示文摘静电纺丝是一种制备纳米尺度连续长丝的技术,采用静电纺丝技术高效可控地构筑微纳米中空结构材料备受关注.本文综述了通过静电纺丝技术制备聚合物中空纤维和中空微球的研究进展,展望了其在不同功能材料领域的发展前景. | 白帆 吴俊涛 龚光明 孙娜 赵勇 江雷 | 2013 | 高等学校化学学报2013，34，4： | 10 |
| 2 | YF_3∶Eu^(3+)纳米纤维/高分子复合纳米纤维的制备与表征显示文摘采用静电纺丝技术制备了Y2O3∶Eu3+纳米纤维,使用NH4HF2为氟化剂,经双坩埚法氟化和脱氨后得到YF3∶Eu3+纳米纤维,再采用静电纺丝技术制备了YF3∶Eu3+纳米纤维/PVP复合纳米纤维.XRD分析表明,立方相的Y2O3∶Eu3+氟化后,得到了正交相的YF3∶Eu3+纳米纤维,空间群为Pnma,YF3∶Eu3+纳米纤维/PVP复合纳米纤维具有明显的YF3∶Eu3+的衍射峰.SEM分析表明,YF3∶Eu3+纳米纤维与YF3∶Eu3+纳米纤维/PVP复合纳米纤维的直径分别为(91±11)和(319±43)nm,表面光滑.用Shapiro-Wilk方法检验,纤维直径属于正态分布.TEM分析表明,长度为500~1500 nm的YF3∶Eu3+纳米纤维被PVP包覆在内部,沿YF3∶Eu3+纳米纤维/PVP复合纳米纤维走向分布.荧光光谱分析表明,YF3∶Eu3+纳米纤维和YF3∶Eu3+纳米纤维/PVP复合纳米纤维的最强发射峰均位于588和595 nm,属于Eu3+的5D0→7F1跃迁,表明Eu3+占据YF3基质中Y3+晶格点的C2对称格位.PVP对YF3∶Eu3+发光峰位无影响,但发光强度降低;YF3∶Eu3+的含量与YF3∶Eu3+纳米纤维/PVP复合纳米纤维的发光强度呈线性关系. | 侯远 董相廷 王进贤 刘桂霞 李乐慧 | 2011 | 高等学校化学学报2011，32，2： | 8 |
| 3 | 静电纺丝技术制备Tb(BA)_3phen/PANI/PVP光电双功能复合纳米纤维显示文摘采用静电纺丝技术将聚苯胺(PANI)和稀土配合物[Tb(BA)3phen]掺杂到高分子材料(PVP)中,制备出一类新型的具有光电双功能的Tb(BA)3phen/PANI/PVP复合纳米纤维.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱仪(EDS)、荧光光谱仪及宽频介电松弛谱仪对样品进行了表征.结果表明,复合纳米纤维直径为(331±43)nm.在276 nm紫外光激发下,Tb(BA)3phen/PANI/PVP复合纳米纤维发射出主峰位于491,547和585 nm的绿光,对应Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5和5D4→7F4跃迁.当Tb(BA)3phen∶PANI∶PVP的质量比为15∶10∶100时,复合纳米纤维的荧光发射最强,其电导率随PANI含量的增大而升高,在PANI∶PVP为50%(wt%)时,其电导率在高频(106Hz)下达1.531×10-6S/cm. | 王莹熇 王进贤 董相廷 于文生 刘桂霞 | 2012 | 化学学报2012，70，14： | 5 |
| 4 | 同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆显示文摘采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、硝酸锌、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿为原料,制备了ZnO@CeO2同轴纳米电缆.用差热-热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,所得产物为ZnO@CeO2同轴纳米电缆,以晶态CeO2为壳层,晶态ZnO为芯层,电缆直径约90 nm,芯层直径约60 nm,壳层厚度约15 nm,电缆长度大于300μm,并分析了其形成机理. | 徐淑芝 董相廷 盖广清 刘桂霞 王进贤 鲁统晓 | 2011 | 高等学校化学学报2011，32，6： | 4 |
| 5 | 同轴三层纳米电缆NiO@SiO_2@TiO_2的制备与表征显示文摘采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征,结果表明,所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆,内层为NiO,直径大约为40~50 nm;中间层为SiO2,厚度大约为40~45 nm;外层为TiO2,厚度大约为45~50 nm.对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论. | 宋超 董相廷 王进贤 刘桂霞 | 2011 | 化学学报2011，69，10： | 2 |
| 6 | 静电纺丝技术制备NiO-ZnTiO_3-TiO_2同轴三层纳米电缆及其形成机制显示文摘采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明,所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO,直径大约为(42.024±4.405)nm;中间层为ZnTiO3,厚度大约为(55.385±7.681)nm;壳层为TiO2,厚度大约为(70.747±7.373)nm。 | 宋超 董相廷 王进贤 刘桂霞 | 2012 | 复合材料学报2012，29，1： | 1 |
| 7 | 静电纺丝技术制备LaAlO_3纳米纤维与表征显示文摘采用静电纺丝技术制备了PVP/[La(NO3)3+Al(NO3)3]复合纳米纤维,经过800℃焙烧8h热处理后成功制备出大量的LaAlO3纳米纤维。采用XRD、SEM、EDS、TEM、SAED、FTIR等测试技术对样品进行了系统地表征。结果表明,PVP/[La(NO3)3+Al(NO3)3]复合纳米纤维为非晶态,所制备的LaAlO3纳米纤维为菱形晶系,空间群为R3m。PVP/[La(NO3)3+Al(NO3)3]复合纳米纤维表面光滑,平均直径约为180nm;LaAlO3纳米纤维的平均直径为80nm,长度大于300μm。LaAlO3纳米纤维由纳米粒子构成,纳米粒子平均直径为15nm,为多晶结构。对LaAlO3纳米纤维的形成机理进行了讨论。 | 秦菲 王进贤 董相廷 刘莹 刘桂霞 | 2010 | 硅酸盐通报2010，29，5： | 1 |
| 8 | 静电纺稀土离子掺杂无机纳米发光材料的研究现状显示文摘以三价铕离子与铽离子掺杂无机纳米发光材料为例,介绍了近年来国内外采用静电纺丝方法制备稀土三价离子掺杂无机纳米材料的发展现状,详述了不同纳米材料存在形式对发光性能的影响。静电纺丝法制备发光纳米材料工艺简单,发光纳米材料易于回收且性质稳定,但发光性能未能明显增加且部分材料柔性较差,仍需进一步提高。展望了静电纺稀土离子掺杂无机纳米发光材料未来发展趋势和应用前景,指出提高纳米发光材料的发光效率和制备柔性纳米发光膜是提高其应用价值的关键。 | 吴月霞 刘呈坤 毛雪 张庆 | 2020 | 合成纤维工业2020，43，6： | 0 |
| 9 | 不同方法制备的Eu^3+:Y2O3-3SiO2发光材料的结构和发光性质显示文摘采用溶胶凝胶与沉淀相结合的方法和单一溶胶凝胶法制备Eu3+:Y2O3-3Si O2发光材料,通过DTA-TG、IR、XRD、TEM、激发光谱、发射光谱研究了材料的结构和发光性能。研究表明:两种方法制得的发光材料成分完全相同,但结构、形貌和发光性质有较大差别。IR确定结合法制备的材料主要存在Si-O-Si桥氧键,而单一法主要存在非桥氧的Si-O键;XRD确定结合法存在立方相的Y2O3,单一法主要存在非晶态Si O2,TEM显示结合法的形貌为纳米级球形Y2O3,单一法为纳米级棒状Y2O3。两种方法制得的样品Eu3+:Y2O3-3Si O2都显示Eu3+的特征发射峰位于613 nm;最佳激发峰分别在紫外区的257 nm和395 nm;两种方法制得的样品在相应最佳激发波长下,结合法制备出的荧光材料其发光强度和色纯度相对较高,半宽峰约为7 nm,两种方法制得的发光材料最佳退火温度均为800℃,Eu3+的最佳掺杂量均为6.0%。 | 付道彬 王喜贵 | 2015 | 高校化学工程学报2015，29，3： | 0 |
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