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| 1 | 基于InP双异质结双极型晶体管工艺的超宽带低相噪可编程分频器显示文摘实现了一款高性能超宽带低相噪可编程分频器芯片,内部分频模块采用电流模式逻辑结构的数字分频原理实现。芯片采用三路外部信号对内部分频模块及开关组进行选通、控制,实现1、2、4、8四种分频比的切换。对内部单元进行了设计优化以提高芯片宽频带内的整体性能。该芯片采用0.7μm InP DHBT工艺实现,测试结果显示在1~40 GHz超宽带范围内,其输入功率可覆盖-10^+8 dBm,高载波下相位噪声可低至-145 dBc/Hz,最大功耗0.63 W。该芯片拥有完整的电路架构,宽带工作性能优良且有较低的相位噪声,可直接应用于超宽带频率源系统。 | 张敏 孟桥 张有涛 张翼 李晓鹏 | 2020 | 微波学报2020，36，4： | 1 |
| 2 | 基于2μm GaAs HBT工艺的宽频带多模分频器显示文摘基于2μm GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种应用于宽频带锁相环电路的多模分频器。采用嵌入逻辑单元并加入射极跟随器的发射极耦合逻辑(ECL)结构设计2/3分频单元,电路共采用八级2/3分频单元级联,分频比为256~511。提出了一种分频单元结构,相比传统分频单元减少了电路中触发器和逻辑门的数量,从而减小电路的版图面积并降低了功耗。根据ECL结构优化技术合理设计电路从而提高带宽,同时得到匹配良好的输入输出共模电平。流片测试结果表明,输入频率达到10 MHz~6.5 GHz;在输入频率为5 GHz、输入信号摆幅为20 mV时,总功耗为710 mW。芯片面积为2 300μm×3 000μm。 | 马平洋 饶留铭 高海军 | 2021 | 半导体技术2021，46，10： | 0 |
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