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| 1 | SOI CMOS器件及其应用显示文摘介绍SOI技术及其形成方法。介绍SOICMOS器件的优点、全耗尽(FD)SOICMOS器件的特点及其应用。 | 翁寿松 | 2005 | 电子元器件应用2005，7，4： | 1 |
| 2 | SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究显示文摘对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同。建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。 | 章晓文 恩云飞 张鹏 叶兴跃 | 2006 | 微电子学2006，36，3： | 1 |
| 3 | 空腔嵌入绝缘体上硅衬底制备技术显示文摘空腔嵌入绝缘体上硅(void embedded silicon on insulator,VESOI)衬底是一种面向新型互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)器件及集成技术的新型SOI衬底材料.当采用离子剥离技术制备该衬底时,由氢气形成的板状气泡会聚集在衬底剥离界面,对空腔结构产生挤压作用,并有可能造成空腔结构的破损,因而有必要对VESOI衬底制备过程中的应力机制和工艺稳定性进行深入研究.本文以单个矩形空腔结构为研究对象,借助固支梁理论分析了其在工艺制备过程中的力学状态,并利用有限元工具构建了其三维几何模型.通过应力仿真,找到了该空腔结构的破裂失效原因,并确认了其脆弱位点.结果表明,矩形空腔结构短边长度w、顶硅薄膜厚度t以及氢气泡压力是影响顶硅薄膜应力状态的主要因素.当w/t值超过4—5时,硅薄膜将因应力过大而破裂,破裂位点分布于空腔结构长边方向.通过优化顶层硅厚度t,以及内嵌空腔结构、尺寸,本工作成功制备了符合CMOS产线要求的高质量8 in(1 in=2.54 cm)VESOI衬底.该工作对基于VESOI衬底的集成技术具有较好参考价值. | 贾欣 刘强 母志强 周虹阳 俞文杰 | 2023 | 物理学报2023，72，12： | 0 |
| 4 | SOI电路窄沟槽隔离技术研究显示文摘文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础。 | 张正元 徐学良 税国华 曾莉 刘玉奎 | 2005 | 微电子学2005，35，4： | 0 |
| 5 | 基于Silvaco Atlas的SOI器件性能仿真研究显示文摘本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进行仿真,与研究分析结果进行比对,可以看出SOI器件能够有效改善MOS器件的阈值和亚阈值特性。 | 黄玮 杨月霞 林慧敏 | 2017 | 电子制作2017，0，12： | 0 |
| 6 | 用于离子敏场效应晶体管的生化参比电极研究进展显示文摘近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了ISFET和传统参比电极的工作原理,分析了参比电极对ISFET检测系统的必要性和传统参比电极的可靠性。介绍了多种易于在芯片上集成的微型化参比电极和参比电极系统并探讨了他们的特点。对ISFET电路模型进行了分析并提出了一种基于微流控技术的金属参比电极系统,结合仿真结果认为微流型金属参比电极系统的尺寸可以控制在毫米量级,具有良好的应用前景。 | 张敬维 许明 赵丹 曾瑞雪 吴东平 | 2016 | 半导体技术2016，41，6： | 0 |
| 7 | 在SOI硅片上制造磁敏差分电路显示文摘阐述基于SOI硅片制造新型P+-I-N+双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。构成新型P+-I-N+双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术和喷砂工艺进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明,此种三极管具有磁灵敏度高和可靠性高的特点。因此由这种新型磁敏三极管构成的差分电路还具有温漂小的优点。 | 许言 刘兆东 | 2007 | 信息技术2007，31，1： | 0 |
| 8 | SOI MOSFET器件的热载流子退化机理显示文摘介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展。 | 章晓文 恩云飞 赵文彬 李恒 | 2006 | 电子产品可靠性与环境试验2006，24，4： | 0 |
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