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| 1 | 片状纳米氧化锌的制备及其光学性能的研究显示文摘采用三种不同前驱体,以三聚磷酸钠为表面改性剂,水热法制备了少有报导的片状纳米ZnO,采用X-射线衍射仪、透射电镜、荧光光谱仪及紫外可见分光光度计等手段对所得粉末进行表征。结果表明:当pH值为9~10,180℃水热反应一定时间,三种前驱体均可制得片状结构ZnO晶体,片状ZnO晶体(001)晶面衍射峰最强,具有明显的择优性,这与其它形态的ZnO有所不同;以碱式硫酸锌为前驱体时,可获得具有良好紫外吸收性能,并在421nm附近具有单一较强蓝光发光峰的ZnO粉;而以碱式氯化锌、碱式硝酸锌等为前驱体时ZnO则具有383nm附近的紫外发光和571nm左右的黄绿色发光。 | 范学运 王艳香 章义来 | 2009 | 陶瓷学报2009，30，1： | 9 |
| 2 | 电沉积制备的ZnO薄膜在染料敏化太阳能电池中光电性能的研究显示文摘采用阴极电沉积法在导电玻璃基体上制备了ZnO薄膜,研究了工艺条件对ZnO薄膜在染料敏化太阳能电池(DSSC)中的光电性能的影响。通过热分析(TG-DTA),X射线衍射(XRD)和电子扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜的结构和形貌进行了表征。实验结果表明,电沉积制备的ZnO薄膜为纤锌矿结构,薄膜颗粒均匀,在DSSC中表现出较好的光伏性能。 | 张林森 李素珍 王力臻 董会超 | 2010 | 人工晶体学报2010，39，4： | 9 |
| 3 | ZnO基紫外光电探测器的研究进展显示文摘ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。 | 刘云燕 袁玉珍 李洁 高绪团 | 2007 | 材料导报2007，21，10： | 8 |
| 4 | TiO_2/ZnO薄膜紫外探测器的光电特性显示文摘采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au/TiO2/ZnO/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,TiO2/ZnO紫外探测器在5 V偏压360 nm紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100 A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于TiO2/ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流,且其光响应的上升弛豫时间约为22 s,下降响应时间约为80 s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO2/ZnO可作为一种良好的紫外探测材料。 | 王怡 江伟 邢光建 武光明 李东临 | 2009 | 半导体光电2009，30，4： | 8 |
| 5 | ZnO基紫外探测器的研究进展显示文摘ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点。介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向。 | 赵懿琨 连洁 张飒飒 王公堂 宫文栎 于元勋 卜刚 | 2006 | 材料导报2006，20，1： | 5 |
| 6 | ZnO薄膜的研究现状显示文摘通过介绍ZnO的晶体结构和基本物理性质,系统地讲述国内外ZnO薄膜的溅射法、喷雾热解法(SP)、气相沉积法(CVD)、脉冲激光沉积法(PLD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)等制备方法及各自的优缺点,较为详细地列举了国内外ZnO薄膜在工程技术中的应用. | 张菲 谌家军 王秩伟 | 2008 | 重庆文理学院学报(自然科学版)2008，27，2： | 4 |
| 7 | ZnO基紫外探测器的研究进展与关键技术显示文摘近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行了探讨,指出推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键在于制备高质量的掺杂薄膜以及进一步提高器件的量子效率。 | 韦敏 邓宏 王培利 李阳 | 2007 | 材料导报2007，21，12： | 4 |
| 8 | ZnO薄膜在传感器方面的最新应用进展显示文摘ZnO薄膜是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文详细介绍了ZnO薄膜在声光器件、压电器件、气敏元件、声表面波器件、压力元件、湿敏元件和紫外探测器等方面的最新应用进展,并对该材料的发展趋势进行了展望。 | 王英连 孙汪典 | 2004 | 传感器世界2004，10，6： | 4 |
| 9 | 紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究显示文摘用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。 | 刘宏伟 孙建平 惠春 徐爱兰 | 2005 | 电子元件与材料2005，24，4： | 4 |
| 10 | 退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制显示文摘利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350 nm波长紫外光照下电流增加,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在370 nm附近。 | 吴跃波 杨启耀 雷声 吴孙桃 | 2012 | 传感技术学报2012，25，5： | 4 |
| 11 | ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究显示文摘通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光潜具有明显的响应,其响应截止波长为368nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响. | 冯士维 李瑛 孙静莹 谢雪松 杨集 张跃宗 卢毅成 | 2007 | 北京工业大学学报2007，33，7： | 3 |
| 12 | 体晶ZnO光导探测器制备与测试显示文摘在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器。对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻。对制成的紫外探测器的光电性能测试表明,器件制备极性面的选择,测试的调制频率、偏置电压对器件的性能有较大影响,最终器件的电流响应率达到14.6A/W。 | 赵鹏 周旭昌 洪雁 唐利斌 彭曼泽 | 2007 | 红外技术2007，29，10： | 3 |
| 13 | ZnO薄膜紫外探测器的研制显示文摘利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si衬底上制备了ZnO薄膜,并在薄膜上制作了Ag-ZnO肖特基二极管和Ag-ZnO-Ag肖特基MSM叉指结构的紫外探测器。所制备的ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向,表面平整,在可见光范围具有较高的透射率,吸收边在370 nm附近;所制作的肖特基二极管显示了良好的整流特性,有效势垒高度约为0.65 eV;所制作的MSM紫外探测器在5 V偏压下漏电流为3.3×10-8A,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在365 nm附近。 | 吴跃波 黄波 吴孙桃 | 2008 | 传感技术学报2008，21，7： | 3 |
| 14 | ZnO基紫外探测器及其研究进展显示文摘介绍了ZnO基紫外探测材料的主要制备方法、特性以及器件的最新研究进展,并简要分析了今后的发展方向。 | 邵立 程东明 | 2008 | 山西电子技术2008，，4： | 2 |
| 15 | 基于ZnO半导体纳米线膜的声表面波型紫外探测器显示文摘针对传统半导体光电探测器件结构的宽带隙半导体紫外探测器可测信号弱的问题,提出了一种基于ZnO纳米线膜的声表面波型紫外探测器。该探测器利用ZnO纳米线膜的强紫外光电响应特性和声表面波器件的灵敏的声电相互作用机制,将采用高纯锌粉的热蒸发氧化工艺制备的纤锌矿型ZnO纳米线制作在已有声表面波小波传感器上。利用光致发光谱研究发现,由于低维激子限域效应和表面效应,所制作ZnO纳米线敏感膜中的紫外光电效应优于外延ZnO半导体薄膜;同时,基于ZnO纳米线膜的声表面波式紫外探测器在紫外光辐照下该探测器的中心频率减小,损耗增大。实验研究表明该器件能够实现长波紫外光的高灵敏度探测。 | 贺永宁 文常保 李昕 王兆宏 朱长纯 | 2008 | 功能材料与器件学报2008，14，1： | 2 |
| 16 | Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征显示文摘采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响。X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向。不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃。室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右)。实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜。 | 汪洪 周圣明 宋学平 刘艳美 李爱侠 | 2005 | 人工晶体学报2005，34，3： | 2 |
| 17 | 纳米晶ZnO:Dy^(3+)粉体的制备和发光性质显示文摘通过固相反应法制备了ZnO:Dy3+纳米粉末,样品的X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射证实了ZnO:Dy3+纳米粉末属于六方纤锌矿多晶结构.研究了光致发光谱与激发波长和掺杂离子浓度的依赖关系.结果表明,从ZnO:Dy3+纳米粉末的光致发光光谱中首次发现除了Dy3+的4f→4f跃迁外,出现了Dy掺入ZnO后产生的两个缺陷A和B的宽谱带发射峰,峰值分别在600和760nm,半高宽分别约为200和100nm.在ZnO的激子激发下(385nm),峰值760nm的发光强度远远大于峰值在600nm的发光强度.样品的发射光谱中峰值的相对强度变化依赖于激发波长和Dy3+的掺杂浓度.当在Dy3+4f→4f激发下(454nm),光谱中只有Dy3+的4f态间的特征发射,而缺陷A,B不发光. | 张琳丽 郭常新 | 2007 | Journal of Semiconductors2007，28，6： | 2 |
| 18 | 一维纳米结构氧化锌的水热法制备及紫外光敏特性研究显示文摘在陶瓷衬底上制作叉指状金电极,采用低温水热法生长一维纳米结构氧化锌,制得氧化锌紫外光电导型探测器。探讨了反应溶液的浓度对氧化锌纳米结构形貌及紫外光电导特性的影响。X射线衍射分析表明,产物为六方纤锌矿结构的ZnO。扫描电镜观察显示,产物为一维纳米结构,因反应溶液浓度的不同直径介于80~500nm。光电测试表明,一维纳米结构氧化锌的紫外光电导特性受其表面形貌的影响显著。 | 张祥涛 吴起白 张海燕 魏爱香 刘俊 | 2009 | 材料导报2009，23，22： | 2 |
| 19 | Zn掺杂TiO_2薄膜紫外探测器及其光电性能研究显示文摘采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备Au/TiO2/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,Zn掺杂TiO2紫外探测器在250nm、5V偏压紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于ZnO/TiO2复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流。且其光响应的上升迟豫时间约为22s,下降响应时间约为80s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明Zn掺杂TiO2可作为一种良好的紫外探测材料。 | 江伟 王怡 邢光建 武光明 李东临 | 2009 | 真空2009，46，3： | 2 |
| 20 | 硅基ZnO光电导紫外传感器的制备与性能表征显示文摘通过控制氩氧气体体积流量比,在单晶硅片上通过磁控溅射的方法制得c轴择优取向的ZnO薄膜,其(002)衍射峰的半高宽仅为0.3°,ZnO薄膜的常温光致发光光谱仅有一个发光峰位于3.17 eV,是ZnO受主缺陷的三阶声子伴线发光峰(FXA-3LO),该峰的出现也说明了ZnO薄膜具有较高的纯度和晶体质量,ZnO薄膜电阻率为160Ω·cm。在此基础上利用光刻剥离技术制备了传感器18对叉指Au电极结构,电极的线宽/线间距为25μm/25μm。样品的实际参数指标与设计指标一致,光电性能指标基本符合要求,对于280~360 nm的中长紫外线具有良好的响应特性,为后续ZnO紫外传感器的性能优化奠定了设计与技术基础。 | 李林森 汪涛 | 2021 | 电子元件与材料2021，40，4： | 2 |
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