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| 1 | 温度对飞秒激光沉积ZnO/Si薄膜的结构和性能的影响显示文摘通过飞秒脉冲激光(50Is,800nm,1kHz,2mJ)沉积技术在n型Si(100)单晶基片上制备了ZnO薄膜。详细研究了基片温度变化以及退火处理对ZnO薄膜的结构、表面形貌及光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,不同温度下(20-350℃)生长的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,并且呈c轴择优取向;当基片温度为80℃时,薄膜沿(002)晶面高度择优生长;当基片温度为500℃时薄膜沿(103)晶面择优生长,场发射扫描电子显微镜(FEEM)结果表明薄膜呈纳米晶结构,并观察到了ZnO的六方结构。进一步通过透射光谱的测量讨论了基片温度及退火处理对ZnO薄膜光学透射率的影响,结果表明退火后薄膜的透射率增大。 | 杨义发 龙华 杨光 戴能利 郑启光 陆培祥 | 2007 | 中国激光2007，34，9： | 10 |
| 2 | 基于反射和透射光谱的氢化非晶硅薄膜厚度及光学常量计算显示文摘采用紫外-可见透射光谱仪测量了对靶磁控溅射沉积法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的透射光谱和反射光谱.利用T/(1-R)方法来确定薄膜的吸收系数,进而得到薄膜的消光系数;通过拟合薄膜透射光谱干涉极大值和极小值的包络线来确定薄膜折射率和厚度的初始值,并利用干涉极值公式进一步优化薄膜的厚度值和折射率;利用柯西公式对得到的薄膜折射率进行拟合,给出了a-Si:H薄膜的色散关系曲线.为了验证该方法确定的薄膜厚度和光学常量的可靠性,将理论计算得到的透射光谱与实验数据进行了比较,结果显示两条曲线基本重合,可见这是确定a-Si:H薄膜厚度及光学常量的一种有效方法. | 丁文革 苑静 李文博 李彬 于威 傅广生 | 2011 | 光子学报2011，40，7： | 9 |
| 3 | 氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析显示文摘在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性。 | 李志明 郝跃 张进成 许晟瑞 毕志伟 周小伟 | 2010 | 人工晶体学报2010，39，1： | 8 |
| 4 | 纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究显示文摘在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明:GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370~800 nm波长范围内消光系数差异很大,GaN薄膜的消光系数差异在一定程度上可用以评价外延薄膜的质量. | 李雪 魏彦峰 龚海梅 方家熊 | 2007 | 光子学报2007，36，2： | 6 |
| 5 | MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性(英文)显示文摘研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性。实验结果表明,在InGaN厚度<3 nm时,随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1 nm),光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33 nm现象,而且发光强度下降8%,谱线半峰全宽(FWHM)展宽,通过对样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄(1.5 nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,即R+T达到了100%,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象,对引起这些现象的原因进行了讨论。这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作。 | 王玥 施卫 苑进社 贺训军 胡辉 姬广举 | 2007 | 发光学报2007，28，3： | 5 |
| 6 | 负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展显示文摘GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望. | 付小倩 常本康 李飙 王晓晖 乔建良 | 2011 | 物理学报2011，60，3： | 5 |
| 7 | TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响显示文摘采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420~1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。 | 陈伟绩 秦福文 吴爱民 刘胜芳 杨智慧 姜辛 李帅 董武军 | 2010 | 真空科学与技术学报2010，30，4： | 5 |
| 8 | 用转移矩阵法数值研究二维正方介质柱光子晶体的传输特性显示文摘利用转移矩阵方法对二维正方介质柱光子晶体的传输特性进行了研究,数值计算研究了不同晶格、同一晶格柱体截面面积不同、放置方位角不同时光子晶体的传输特性。数值结果表明光子禁带的宽度与中心频率和晶格结构有很大关系,正方晶格更易形成平坦光子禁带,柱体截面面积大,则形成的禁带较宽,在其他因素相同的条件下柱体放置的方位角对光子禁带有重要影响。数值研究表明在正方介质柱下设计宽平坦光子禁带时,可以首先考虑正方晶格结构,其次设法使柱体截面尽量大一些,最后可通过柱体放置方位角来微调光子禁带的宽度与中心频率以达到设计要求。 | 汤炳书 殷恭维 徐健良 沈廷根 | 2006 | 发光学报2006，27，6： | 4 |
| 9 | ZnO薄膜表面和边缘的发光特性(英文)显示文摘研究了分子束外延方法生长的ZnO薄膜的光学特性,首先测量样品反射光谱,然后重点研究其光致发光光谱。实验中通过改变激发光的强度,以及采用波导配置和不同的实验几何配置等手段,观察到了ZnO薄膜中起源于激子-激子散射和电子-空穴等离子体复合发光的受激辐射,同时观察到两种配置下自发辐射谱中存在巨大的差异。通过对实验数据和理论计算结果的分析,初步认为造成了从ZnO薄膜表面和侧面得到的PL谱之间的显著区别原因有两种:一是非对称薄膜波导的吸收损耗造成的波长选择效应,二是薄膜波导对掠出射光的类似薄膜微腔的微腔效应。 | 谢伦军 陈光德 竹有章 汪 屿 | 2006 | 发光学报2006，27，6： | 4 |
| 10 | 二维三角柱光子晶体的传输特性(英文)显示文摘利用时域有限差分方法对二维三角介质柱光子晶体的传输特性进行了研究,计算了不同晶格、同一晶格柱体截面面积不同、放置方位角不同、入射波入射方向不同时光子晶体的传输特性。结果表明:光子禁带的宽度与中心频率和晶格结构有很大关系,三角晶格更易形成平坦光子禁带,柱体截面面积大,则形成的禁带较宽,在其他因素相同的条件下柱体放置的方位角在一定范围内对光子禁带有重要影响;对不同入射方向时光子晶体的传输特性的研究结果表明,在低频范围内,入射角对禁带宽度和中心频率没有任何影响,在高频段,透射率随入射角变大而降低。研究结果为实验上制作三角柱光子晶体器件提供了重要的理论依据。 | 闫明宝 王海龙 周萍 | 2009 | 发光学报2009，30，1： | 4 |
| 11 | 基于反射光谱的In_xGa_(1-x)N半导体薄膜厚度测量显示文摘氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长的铟镓氮(InGaN)半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4.42%。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。 | 刘颖丹 苑进社 潘德芳 | 2009 | 重庆师范大学学报(自然科学版)2009，26，4： | 3 |
| 12 | 基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量显示文摘使用紫外-可见光分光光度计,研究用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生成在蓝宝石衬底上的GaN薄膜的反射光谱、透射光谱以及用分子束外延(MBE)方法生成在碳化硅衬底上GaN薄膜的反射光谱,结果表明,所测的GaN薄膜和体材料的光学吸收边出现在364 nm附近,对应的禁带宽度为3.41 eV.在两种不同衬底上,薄膜的反射谱由于材料晶格常数和热膨胀系数的不同有所差别. | 齐学义 李晨晨 杨国来 蔡丽霞 | 2007 | 兰州理工大学学报2007，33，5： | 3 |
| 13 | 用于液膜厚度测量的开式同轴腔传感器结构设计显示文摘汽轮机低压缸的湿蒸汽区液膜在高速汽流拖拽撕裂下形成较大水滴,会造成动叶片的严重水蚀,实时监测液膜厚度对于叶片防护及机组的安全运行具有重要意义。对此,搭建了谐振腔等效电路,并推导液膜厚度的测量关系式,设计了电磁性能良好的开式同轴谐振腔传感器,仿真分析了同轴腔的谐振频率随水膜厚度的变化关系,确定了测量关系式中的待定系数;选择蒸馏水为液膜材料,介电常数为81,利用电磁仿真软件HFSS计算水膜厚度h从0变化到1 mm,单位增加0.02 mm时进行拟合仿真,结果表明:拟合相似度0.995,均方根误差0.022。可见,该测量关系式可靠性较高,该测量技术可用于测量汽轮机静叶片、汽缸壁、导流环等结构处的液膜厚度。 | 钱江波 严晓哲 韩中合 | 2015 | 热力发电2015，44，3： | 3 |
| 14 | GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究显示文摘利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明:外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度,从而对样品质量作出详细的分析. | 李超 李雪 许金通 李向阳 | 2009 | 光子学报2009，38，9： | 3 |
| 15 | 利用AlGaN薄膜透射谱提取材料参数的研究显示文摘为了研究多层结构高铝组分AlGaN薄膜材料的光学性能,并计算得到相关光学参数,本文基于多层膜传输矩阵方法,对两个样品的透射光谱进行了拟合。根据AlGaN材料对不同波长入射光的吸收机制,并考虑了材料在带外的弱吸收,建立了全波段(200~800 nm)范围内的吸收系数模型,同时引入表面粗糙度均方根参数来表征材料表面粗糙度对透射谱的影响。采用所建模型对结构参数不同的两个Al0.65Ga0.35N样品的透射谱进行拟合,拟合结果与实验结果的一致性较好。本文得到的全波段范围内Al0.65Ga0.35N材料的吸收系数,为研究日盲紫外探测器的响应光谱提供了可靠的实验数据。同时,本文还得到了Al0.65Ga0.35N的膜层厚度、折射率、表面粗糙度等参数。 | 盛彬彬 王玲 许金通 李向阳 | 2021 | 光学学报2021，41，3： | 3 |
| 16 | 基于反射谱的GaN薄膜厚度在线测量系统显示文摘针对Si衬底不透明而无法采用透射谱测量GaN薄膜厚度问题,应用反射谱测量,同时结合晶体薄膜的干涉效应原理,并考虑到晶体折射率随光子能量变化的因素,从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法,从而得到实现材料特性的方便表征和MOCVD设备的在线薄膜厚度测量的新途径。 | 张永刚 | 2004 | 电子质量2004，，12： | 3 |
| 17 | AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析显示文摘对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度. | 倪金玉 张进成 郝跃 杨燕 陈海峰 高志远 | 2007 | 物理学报2007，56，11： | 2 |
| 18 | Effect of reactor pressure on the growth rate and structural properties of GaN films显示文摘The effect of reactor pressure on the growth rate, surface morphology and crystalline quality of GaN films grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition is studied. The results show that as the reactor pressure increases from 2500 to 20000 Pa, the GaN surface becomes rough and the growth rate of GaN films decreases. The rough surface morphology is associated with the initial high temperature GaN islands, which are large with low density due to low adatom surface diffusion under high reactor pressure. These islands prolong the occurrence of 2D growth mode and decrease the growth rate of GaN film. Meanwhile, the large GaN islands with low density lead to the reduction of threading dislocation density during subsequent island growth and coalescence, and consequently decrease the full width at half maximum of X-ray rocking curve of the GaN film. | NI JinYu HAO Yue ZHANG JinCheng YANG LinAn | 2009 | Chinese Science Bulletin2009，54，15： | 2 |
| 19 | 利用反射与透射光谱测量GaN外延层的光学参数显示文摘GaN是一种理想的紫外发光和探测材料,其光学特性参数是光学器件设计的重要依据。采用紫外反射与透射光谱相结合的方法对国产GaN外延层进行光学特性测量,利用反射率与折射率之间的关系和薄膜干涉效应,建立了GaN外延层厚度、表面反射率、光谱吸收系数的光谱测量公式。测量结果表明,GaN外延层在紫外波段存在三个吸收区,其中364 nm以下波段为强吸收区,吸收系数接近10~5cm^(-1),364~375 nm为吸收过渡区,375 nm以上波段为弱吸收区;GaN表面反射率在三个吸收区的变化不大,为0.2~0.25之间。 | 杜晓晴 | 2010 | 光学与光电技术2010，8，1： | 2 |
| 20 | 微波同轴腔介质厚度测量理论分析显示文摘汽轮机动静叶片处的水膜、风机桨叶上的冰层等介质厚度的在线准确监测,对电力工业的安全生产具有重要的指导意义。采用微波开式同轴谐振腔作为介质厚度测量传感器,建立了介质厚度测量数学模型,根据谐振腔等效电路,推导了介质厚度的测量关系式。分别设计了用于水膜、冰层厚度测量的传感器。结果表明,随着介质厚度增加,谐振腔的谐振频率减小,衰减增大,且随着谐振腔的基准谐振频率变大,谐振腔的厚度测量分辨力提高。水膜、冰层厚度测量传感器的测量范围分别为0~1 mm、0~10 mm,测量精度较高,结构简单,易于布置,可实现在线监测。微波同轴腔在线测量介质厚度是可行的。 | 钱江波 韩中合 严晓哲 | 2015 | 工程热物理学报2015，36，8： | 1 |
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