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| 1 | 雪花莲外源凝集素基因转化番茄显示文摘将含有雪花莲外源凝集素基因 (GNA)的质粒pRSSGNA1通过冻融法转化到根癌土壤杆菌 (Agrobacteriumtumefaciens (SmithetTownsend)Conn)菌株LBA44 0 4中。采用叶盘法转化番茄 (LycopersiconesculentumMill.)栽培品种“C8”、“A3 9”和“A53 ” ,获得了含GNA基因的 43株转化植株。通过卡那霉素抗性鉴定、NPTⅡ基因PCR和GNA基因Southernblot分析表明 ,GNA基因已整合到番茄的基因组中。初步抗蚜虫 (MyzuspersicaeSulzer)试验证明 ,转基因番茄有一定的抗蚜虫效果。 3株转基因植株的NPTⅡ基因在自交子代中的分离比例符合 3∶1孟德尔遗传规律。 | 吴昌银 叶志彪 李汉霞 唐克轩 | 2000 | Acta Botanica Sinica2000，42，7： | 43 |
| 2 | 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战显示文摘氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的'真'常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。 | 何亮 刘扬 | 2016 | 电源学报2016，14，4： | 25 |
| 3 | GaN基白光发光二极管失效机理分析显示文摘对小功率白光GaN基发光二极管(LED)在室温、40℃和70℃下进行温度加速老化寿命实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理,着重分析器件的芯片和荧光粉的失效机理.器件老化前后的I-V特性表明:老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的隧道电流增大,这是由于器件工作时其芯片的欧姆接触退化和半导体材料的缺陷密度升高而引起的.器件的热特性表明:高温度应力下器件的热阻迅速变大,封装材料迅速退化,这是器件退化的主要原因;光谱曲线表明温度加速了器件的光功率衰减,并使荧光粉的转换效率迅速降低.最后使用阿伦尼斯方程对室温下器件的预测寿命进行了计算,并分析了GaN基白光LED的失效机理. | 薛正群 黄生荣 张保平 陈朝 | 2010 | 物理学报2010，59，7： | 21 |
| 4 | 氮化物深紫外LED研究新进展显示文摘基于三族氮化物(III-nitride)材料的紫外发光二极管(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里,氮化物UV LED取得了长足的进步,发光波长400–210 nm之间的氮化物UV LED先后被研发出来,短于360 nm的深紫外LED(DUV LED)的外量子效率(EQE)最好结果已超过10%,很大程度上得益于核心Al Ga N材料制备技术的进展.通过提高Al Ga N外延材料及量子结构中的Al组分,可以实现更短波长的UV LED,但是源于Al(Ga)N材料的特性,随着Al组分的提高,高质量材料外延和实现有效掺杂面临越来越高的挑战.本文首先从材料外延和掺杂研究的角度出发,分别从UV LED的量子结构与效率、关键芯片工艺、光提取、可靠性与热管理等方面,详细阐述探讨了发光波长短于360 nm的DUV LED研究中面临的核心难点及近年来的一系列重要研究进展. | 王军喜 闫建昌 郭亚楠 张韵 田迎冬 朱邵歆 陈翔 孙莉莉 李晋闽 | 2015 | 中国科学:物理学、力学、天文学2015，45，6： | 20 |
| 5 | GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究显示文摘基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。 | 申屠伟进 胡飞 韩彦军 薛松 罗毅 钱可元 | 2005 | 光电子.激光2005，16，4： | 20 |
| 6 | 氮化镓功率晶体管三电平驱动技术显示文摘作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展。2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件。与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障。本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性。实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率。 | 任小永 David Reusch 季澍 穆明凯 Fred C Lee | 2013 | 电工技术学报2013，28，5： | 19 |
| 7 | 负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究显示文摘利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEAGaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因. | 乔建良 田思 常本康 杜晓晴 高频 | 2009 | 物理学报2009，58，8： | 17 |
| 8 | Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究显示文摘近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅(Cascode)Ga N HEMT的出现使得Ga N器件可以在高压场合进行应用。本文首先研究了耗尽型Ga N HEMT及Cascode Ga N HEMT全范围输出伏安特性及其特点。结合Si MOSFET和耗尽型Ga N HEMT的特性,本文重点研究了Cascode Ga N HEMT的工作模态及其条件。最后,给出了500W基于600V Cascode Ga N HEMT单相全桥逆变器的实验验证。实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性。 | 李艳 张雅静 黄波 郑琼林 郭希铮 | 2015 | 电工技术学报2015，30，14： | 16 |
| 9 | GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算显示文摘用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的相对位置 .模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置 ,包括其复合物 .计算结果表明 ,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN 、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致 .计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化 .计算了CN ON,CGa CN,CN OV 和CGa VGa,其中CN ON 分别具有深受主与浅施主的特征 ,是导致GaN黄光的一种可能的结构 . | 沈耀文 康俊勇 | 2002 | 物理学报2002，51，3： | 15 |
| 10 | 第三代半导体带来的机遇与挑战显示文摘随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力开始在军事、航空航天等领域崭露头角。作者从第三代半导体材料性能应用、行业领先者及市场并购、各国发展战略以及中国力量与思考多个角度,浅析第三代半导体功率器件市场。 | 林佳 黄浩生 | 2017 | 集成电路应用2017，34，12： | 15 |
| 11 | 基于GaN HEMT器件的宽带高效功率放大器显示文摘介绍一种宽带高效放大器设计方法,并基于GaN HEMT器件研制了宽带高效功率放大器。采用源牵引和负载牵引方法获得适应宽带条件的最佳源阻抗和负载阻抗,然后综合宽带匹配网络并实现测试电路设计。实测结果表明,该放大器在0.9~2.7GHz工作频带范围内,放大器输出功率均大于10W,工作效率在51%~72%之间,增益大于13dB。为改善放大器线性度指标,采用商用预失真芯片搭建简单的预失真电路对放大器进行线性化校正,并给出了详细的测试结果。 | 曹韬 曾荣 | 2012 | 微波学报2012，28，6： | 15 |
| 12 | Effect of Soothing Gan(Liver) and Invigorating Pi(Spleen) Recipes on TLR4-p38 MAPK Pathway in Kupffer Cells of Non-alcoholic Steatohepatitis Rats显示文摘Objective: To investigate the mechanism of inflammatory-mediated toll-like receptor 4(TLR4)-p38 mitogen-activated protein kinase(p38 MAPK) pathway in Kupffer cells(KCs) of non-alcoholic steatohepatitis(NASH) rats and the intervention effect of soothing Gan(Liver) and invigorating Pi(Spleen) recipes on this pathway. Methods: After 1 week of acclimatization, 120 Sprague-Dawley male rats were randomly divided into 8 groups using a random number table(n=15 per group): normal group, model group, low-dose Chaihu Shugan Powder(柴胡疏肝散, CHSG) group(3.2 g/kg), high-dose CHSG group(9.6 g/kg), low-dose Shenling Baizhu Powder(参苓白术散, SLBZ) group(10 g/kg), high-dose SLBZ(30 g/kg) group, and low-and highdose integrated recipe(L-IR, H-IR) groups. All rats in the model and treatment groups were fed with a high-fat diet(HFD). The treatments were administrated by gastrogavage once daily and lasted for 26 weeks. The liver tissues were detected with hematoxylin-eosin(HE) and oil red O staining. Levels of liver lipids, serum lipids and transaminases were measured. KCs were isolated from the livers of rats to evaluate the mRNA expressions of TLR4 and p38 MAPK by real-time fluorescence quantitative polymerase chain reaction, and proteins expressions of TLR4, p-p38 MAPK and p38 MAPK by Western blot. Levels of inflammatory cytokines including tumor necrosis factor α(TNF-α), interleukin(IL)-1 and IL-6 in KCs were measured by enzyme-linked immunosorbent assay. Results: After 26 weeks of HFD feeding, HE and oil red O staining showed that the NASH model rats successfully reproduced typical pathogenesis and histopathological features. Compared with the normal group, the model group exhibited significant increases in body weight, liver weight, liver index, serum levels of total cholesterol(TC), triglyceride(TG), low-density lipoprotein cholesterol, and aspartate aminotransferase as well as TC and TG levels in liver tissues, and significant decrease in serum level of high-density lipoprotein cholesterol(P<0.05 or P<0.01), while those indices were significantly ameliorated in the H-IR group(P<0.05 or P<0.01). Higher levels of TNF-α, IL-1 and IL-6 in KCs were observed in the model group compared with the normal group(P<0.01). Significant decreases in TNF-α, IL-1 and IL-6 were observed in the H-SLBZ, H-IR and L-IR groups compared with the model group(P<0.05 or P<0.01). The m RNA expressions of TLR4 and p38 MAPK and protein expressions of TLR4, p38 MAPK and p-p38 MAPK in KCs in the model group were significantly higher than the normal group(P<0.01), while those expression levels in the L-IR and H-IR groups were significantly lower than the model group(P<0.05 or P<0.01). Conclusions: Inflammation in KCs might play an important role in the pathogenesis of NASH in rats. The data demonstrated the importance of TLR4-p38 MAPK signaling pathway in KCs for the anti-inflammatory effect of soothing Gan and invigorating Pi recipes. | GONG Xiang-wen XU Yong-jian YANG Qin-he LIANG Yin-ji ZHANG Yu-pei WANG Guan-long LI Yuan-yuan | 2019 | Chinese Journal of Integrative Medicine2019，25，3： | 15 |
| 13 | GaN基肖特基结构紫外探测器显示文摘在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm~ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响应时间小于 2 μs. | 王俊 赵德刚 刘宗顺 伍墨 金瑞琴 李娜 段俐宏 张书明 朱建军 杨辉 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，6： | 14 |
| 14 | Si衬底GaN基蓝光LED老化性能显示文摘报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。 | 肖友鹏 莫春兰 邱冲 江风益 | 2010 | 发光学报2010，31，3： | 13 |
| 15 | Effect and Mechanisms of Gong-Tone Music on the Immunological Function in Rats with Liver(Gan)-Qi Depression and Spleen(Pi)-Qi Deficiency Syndrome in Rats显示文摘与肝的中国药症候群在老鼠在免疫学的功能上调查铜锣音调音乐的效果和机制的目的(轧)-qi 停滞和怒气(Pi )-qi 缺乏(LSSD ) 。SPF 等级的 25 只男 Wistar 老鼠随机被划分成 5 个组的方法:正常的组,模型组, Xiaoyao 粉末() 组,铜锣音调组和联合的组(铜锣音调和 Xiaoyao 粉末的联合) ,带着在每个组的 5 只老鼠。为 LSSD 的中国药症候群的老鼠模特儿被长期的绷带和不规则的饮食劝诱。处理的功课是 21 天。在处理以后,浆液 gastrin 和 IgG 的层次被连接酶的 immunoabsorbent 试金(ELISA ) 检测。巨噬细胞的吞噬作用被中立红举起试金检测, T 房间增长被 3-(4,5-dimethylthiazolyl ) 调查 -2,5-diphenyltetrazolium 溴化物(MTT ) 试金。浆液 gastrin,巨噬细胞吞噬作用, IgG 水平和在模型的 T 房间的增长能力组织的结果显著地在正常的组与那些相比被减少(P < 0.05 ) 。与那些相比,在模型组,,浆液 gastrin,巨噬细胞吞噬作用,在铜锣音调的 T 房间的 IgG 水平和增长能力, Xiaoyao 粉末,和联合的组铺平显著地被增加(P < 0.05 ) 。联合的组比任何一个铜锣音调组或 Xiaoyao 粉末组优异。结论铜锣音调音乐可以 upregulate 免疫学的工作并且在 LSSD 的中国症候群在辅助治疗起一个作用。 | 张舒羽 彭桂英 顾立刚 李子木 殷胜骏 | 2013 | Chinese Journal of Integrative Medicine2013，19，3： | 13 |
| 16 | GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真显示文摘采用计算流体力学方法对生长半导体材料 Ga N的重要设备 MOCVD(金属有机物化学气相沉积 )反应室中的流场结构进行了三维数值仿真 .数值模拟采用基于非交错网格系统的 SIMPL E算法 ,用有限体积方法对控制方程进行离散 ,并采用改进的压力 -速度耦合方法进行求解 .数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的 Ga N-MOCVD反应室中的流场结构 ,研究了改变几何尺寸和运行参数对 MOCVD反应室流场结构的影响 ,对正在试制开发中的 MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议 . | 刘奕 陈海昕 符松 | 2004 | Journal of Semiconductors2004，25，12： | 13 |
| 17 | GaN(0001)表面的电子结构研究显示文摘报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构 ,与计算得到的能带结构符合得较好 .根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱 。 | 谢长坤 徐法强 邓锐 徐彭寿 刘凤琴 K.Yibulaxin | 2002 | 物理学报2002，51，11： | 13 |
| 18 | Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析显示文摘利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为χmin=1·54%,已达到完美晶体的结晶品质(χmin=1%—2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0·31903nm,cepi=0·51837nm,基本达到GaN单晶的理论晶格常数(a0=0·3189nm,c0=0·5186nm);通过计算GaN外延膜及各缓冲层的水平应变、垂直应变和四方畸变沿深度的变化,可得出弹性应变由衬底及各缓冲层向表面逐渐释放,并由拉应变转为压应变,最后在GaN外延层应变基本达到完全释放(eT=0). | 丁志博 姚淑德 王坤 程凯 | 2006 | 物理学报2006，55，6： | 12 |
| 19 | 白光LED老化机理研究进展显示文摘介绍了国内外在老化机理研究方面采用的加速老化方法,主要从深能级和非辐射复合中心的增加、接触电极金属的电迁移和退化、散热不良导致的电极缓慢或灾变性失效、封装材料的老化、荧光粉的劣变、静电的影响等方面来分析老化机理。同时介绍了根据这些研究而采取的各种改善措施。 | 陈宇彬 李炳乾 范广涵 | 2007 | 国外电子元器件2007，，1： | 12 |
| 20 | GaN基紫外探测器的电子辐照效应显示文摘用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量C-V曲线计算得到SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。制备了GaN基p-i-n结构可见盲正照射紫外探测器并进行电子辐照,测量了辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016 n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。利用GaN材料和MIS结构的辐照效应分析了器件的辐照失效机理。 | 白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 | 2008 | 红外与激光工程2008，37，2： | 12 |
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