MgO的外逸电子发射在PDP中作用

查看全文 作　　者：[1,2]李青;[1]朱笛;Harm [1,3]Tolner

机构地区：[1]东南大学电子科学与工程学院显示技术研究中心,南京210096;[2]江苏省信息显示工程技术研究中心,南京210096;[3]荷兰皇家飞利浦电子公司

出　　处：《光电子技术》索引2009年第29卷第1期,共11页

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60571033);高等学校学科创新引智计划(111计划)资助项目(B07027) 摘　　要：MgO外逸电子发射特性的获得是实现PDP高分辨率显示的关要技术之一,对MgO外逸电子发射的产生机理、测试方法及形成MgO外逸电子发射的方式进行了详细阐述,对该特性缩短PDP器件的统计延迟时间及提高放电稳定性等作用做了深入讨论,为合理利用MgO外逸电子发射特性,改善PDP特性提供了有力的理论基础。 关键词：MGO 外逸电子发射等离子体平板显示统计延迟时间放电

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