Terfenol-D磁致伸缩微小驱动器磁路设计

查看全文 作　　者：[1]杨斌堂;[1]陶华;Bonis [2]M;Prelle [2]C;Lamarque [2]F

机构地区：[1]西北工业大学机电学院;[2]UniversityofTechnologyofCompiegneofFrance,60200

出　　处：《机械科学与技术》索引2005年第24卷第3期,共4页

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2002AA423210)资助 摘　　要：提高磁致伸缩驱动器驱动效率的关键环节是建立优化的驱动器磁路。本文基于准静态条件下线性磁致伸缩理论,得出磁致应变S与磁致伸缩材料内部磁场强度B的关系;并根据对无永磁磁偏磁路的分析进一步得出磁致应变S与磁路磁阻R和漏磁磁阻R1的对应关系。应用有限元方法对3种典型磁路结构的磁化效果进行对比分析,验证磁路结构的变化——即磁阻R和漏磁磁阻R1的相应改变对磁致伸缩材料磁化程度的不同影响,进而得出微小驱动器磁路壳体适宜壁厚为2mm,导磁材料的磁导率为2000μ0。根据此结果和磁路设计的2个遵循原则,对一7mm×20mmTerfenolD棒驱动的驱动器进行了磁路设计,应用ANSYS验证了该结构设计的合理性,并试制了驱动器样机。 关键词：磁路设计 TERFENOL-D 超磁致伸缩微小驱动器 ANSYS

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