等离子生长氧化硅的电性能

查看全文 作　　者：S.Taylor;陈凌云 出　　处：《微电子学》索引1989年第19卷第1期,共3页 摘　　要：在400℃及低于400℃的温度下用氧/氯等离子气体在硅上生长了氧化物。研究了氧化物的电击穿强度和低温热退火后的界面及体内特性。业已表明,对于器件应用来讲,等离子生长氧化物的电性能是绰绰有余的。 关 键 词：等离子 氧化硅 电性能 氧化硅薄膜