用光调制反射研究GaSb/AlSb多层量子势阱的带间跃迁

查看全文 作　　者：[1]H.Shen;[1]Z.Hang;[1]冷静;[1]F.H.Pollak;[2]L.L.Chang;[2]W.I.Wang;[2]L.Esaki 机构地区：[1]美国纽约城市大学布鲁克林学院物理系;[2]美国IBM公司 出　　处：《镇江船舶学院学报》索引1989年第3卷第2期,共7页 摘　　要：我们测量了两个GaSb/AlSb多层量子势阱在77K时的光调制反射谱。在Г点(GaSb)亚带间的能量,理论与实验符合得甚好,这种一致性可延伸到空穴态被束缚而电子态低于AlSb导带最小值X点的整个能量范围, 这就使得有可能确定导带的补偿参数0.85±0.08(应变前)和应变的贡献,超过这个能量范围时,理论与实验的偏离则为Г-X混合态提供了证据。 关 键 词：GaSb/AlSb 量子势阱 带间跃迁