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黄芩甙对中波紫外线照射HaCaT细胞后光产物的影响

查看全文 作　　者：[1]骆丹索引[1]林向飞 [1]吴迪 [1]吉玺 [1]徐丽贤 [1]明亚玲 [1]闵玮 [1]朱洁 [1]徐晶 高影响力作者 机构地区：[1]南京医科大学第一附属医院皮肤科,210029高影响力机构 出　　处：《中华皮肤科杂志》索引2006年第39卷第2期,共4页高影响力期刊 基　　金：国家自然科学基金资助项目(30371294) 摘　　要：目的探讨黄芩甙对UVB照射后HaCaT细胞光产物环丁烷嘧啶二聚体(CPD)的产生和清除的影响。方法以一定剂量UVB照射HaCaT细胞,在照光后不同时间点采用免疫组织化学法检测CPD的产生和清除;以黄芩甙预先孵育HaCaT细胞,再观察黄芩甙对CPD的影响。结果HaCaT细胞损伤程度随UVB照射剂量增大而加重。30mJ/cm2UVB照射后HaCaT光产物CPD的产生在0.5h左右达到高峰,同时细胞开始清除CPD,照射后4h内清除速率较快,至24h时基本清除CPD。黄芩甙预处理组UVB照射后细胞的CPD产生少于非加药组(U=2.324,P<0.05)。结论UVB照射对HaCaT细胞光损伤程度呈剂量递增性,HaCaT细胞对CPD的清除存在快速清除期及慢速清除期;黄芩甙可减少光产物生成。 关 键 词：紫外线 HACAT细胞 环丁烷嘧啶二聚体 黄芩
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