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Strong dependence of the inversion mobility of 4H and 6H SiC (0001)MOSFETs on the water content in pyrogenicre-oxidation annealing

查看全文 作　　者：Kosugi R; Suzuki S; Okamoto M; 高影响力作者 出　　处：《IEEE Elec Dev Lett》索引2002年第23卷第3期,共0页高影响力期刊
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引证文献(1)

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