800kV GIS隔离开关磁场-温度场计算与分析

查看全文 作　　者：[1]宋帆 [2]申春红 [1]林莘索引[1]徐建源索引[2]马曾锐 [2]南方

机构地区：[1]沈阳工业大学,沈阳110023;[2]西安西开高压电气股份有限公司,西安710077

出　　处：《高电压技术》索引2008年第34卷第7期,共6页

基　　金：教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(707018)~~ 摘　　要：800kV GIS隔离开关在实际运行中由于电阻损耗发热而温度升高,甚至超过允许温升,从而影响其工作性能,为了保证其工作的安全性和可靠性,建立了三维有限元分析模型对800kV GIS隔离开关的工频磁场进行分析。首先计算出隔离开关上的磁感应强度分布及涡流损耗,然后将涡流损耗值作为体积热源计算800kVGIS隔离开关的温度场,得出各部分具体温升值。结果表明:在环境温度为27.3°C的工作条件下,隔离开关主导体上的温升约为26.3K,外壳温升约为13.3K。计算结果和试验测试数据的对比验证了方法的准确性,进而为产品设计提供参考,为提高GIS隔离开关运行可靠性提供理论依据。 关键词：800 kVGIS隔离开关有限元法工频磁场涡流热流耦合分析温度场

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