CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究

查看全文 作　　者：[1]张希清 [1]徐征索引[1]侯延冰 [1]王振家 [1]王永生 [1]徐叙溶 [2]Z.K.Tang [3]汪河州 [3]李伟良 [3]赵福利 [3]蔡志刚 周建英  机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所,北京100044;[2]DepartmentofPhysics;[3]中山大学激光光谱学国家重点实验室,广州510275 出　　处：《Journal of Semiconductors》索引1999年第20卷第10期,共5页 基　　金：国家自然科学基金;中国科学院激发态物理开放研究实验室和中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室基金 摘　　要：采用MBE制备了CdSe/CdZnSe 多量子阱结构.X射线衍射谱的最高阶次是7,在77K下PL光谱的线宽是4.2nm ,表明我们的样品具有较高的质量.在变密度激发的ps 时间分辨光谱中,随着激发密度的减小发光衰减时间减小,认为是由无辐射复合引起的. 关 键 词：多量子阱 Ⅱ-Ⅵ族 Ⅲ-Ⅴ族 半导体异质结 结构