掺碲硒化镓晶体的光学性能(英文)

查看全文 作　　者：[1]古新安;[1]朱韦臻;[1]罗志伟;ANDREEV Y [2,4]M;LANSKII G [2]V;SHAIDUKO A [2]V;IZAAK T [3]I;SVETLICHNYI V [3]A;VAYTULEVICH E [3]A;ZUEV V [2]V

机构地区：[1]国立交通大学,中国台湾30010;[2]俄罗斯科学院西伯利亚分院气候与生态系统监测研究所,俄罗斯托木斯克634055;[3]俄罗斯托木斯克洲立大学西伯利亚物理技术研究所,俄罗斯托木斯克634050;[4]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033

出　　处：《中国光学》索引2011年第4卷第6期,共7页

基　　金：supported by RFBR Project(No.10-02-01452-a);Presidium SB RAS under the Project VII.63.3.1 of VII.63.3 Prog;Join Proj.between Presidium SB RAS and Presidium NAS,Belarus No.10 of 2010 摘　　要：采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明:当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E'(2)刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E'(2)刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E'(2)刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E'(2)刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。 关键词：硒化镓掺碲硒化镓晶体生长光学性能太赫兹

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