SIMOX薄膜材料的电学性能

查看全文 作　　者：[1]卢殿通;[2]P.L.F.Hemment 机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心,北京100875;[2]DepartmentofElectronicandElectricalEngineering 出　　处：《半导体杂志》索引2000年第25卷第1期,共4页 基　　金：国家自然科学基金资助项目!(F0 4 0 10 5);北京自然科学基金的资助项目!(4 952 0 0 2 ) 摘　　要：本文主要研究高剂量氧离子 (1 4~ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。 关 键 词：离子注入 SIMOX 薄膜材料 电学性能