长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器

查看全文 作　　者：[1]史常忻;[2]K.Heime

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所;[2]亚琛工业大学半导体电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》索引1991年第12卷第12期,共4页

基　　金：中国国家自然科学基金会和德国德意志研究联合会的联合资助 摘　　要：本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W. 关键词：INGAAS MSM 光电探测器暗电流

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