Growth and low-energy electron microscopy characteri- zation of monolayer hexagonal boron nitride on epitaxial cobalt

查看全文 作　　者：Carlo M. Orofeo Satoru Suzuki Hiroyuki Kageshima Hiroki [1]Hibino

机构地区：[1]NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, A tsugi, Kanagawa 243-0198 Japan

出　　处：《Nano Research》索引2013年第6卷第5期,共13页

摘　　要：低精力的电子显微镜学(LEEM ) 习惯于原子地薄的六角形的硼氮化物(h-BN ) 的层的结构,起始的生长取向,生长前进,和数字拍摄的学习。h-BN 电影在低压力用化学蒸汽免职(CVD ) 在 heteroepitaxial 公司上被种。我们从 LEEM 的调查结果学习包括有二的单层电影的生长,与公司格子同量的相对地面向的、三角形的 BN 领域。h-BN 的生长看起来在单层自我限制,与仅仅出现在补丁的更厚的领域,大概在领域边界之间开始了。更厚的 h-BN 电影的反射率大小显示出通过 h-BN 电影的使量子化的电子状态源于反响的电子传播的摆动,与与 h-BN 层的数字扩大规模的最小的数字。第一原则密度功能的理论(DFT ) 计算证明摆动的位置与 h-BN 的电子乐队结构有关。 关键词：低能电子显微镜六方氮化硼单层膜特征描述电子能带结构取向生长 BN薄膜化学气相沉积

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