Epitaxial Lead Selenide Layers over a Wide Range of Their Thickness on Dielectric Substrates

查看全文 作　　者：Arif M. [1]Pashaev;Omar I. [2]Davarashvili;Megi I. [2]Enukashvili;Zaira G. [2,3]Akhvlediani;Revaz G. [2]Gulyaev;Larisa P. [2]Bychkova

机构地区：[1]National Aviation Academy of Azerbaijan, Baku, Azerbao'an;[2]lv. Javakhishvili Tbilisi State University, Tbilisi, Georgia;[3]E. Andronikashvili Institute of Physics, Tbilisi, Georgia

出　　处：《材料科学与工程(中英文B版)》索引2013年第3卷第2期,共7页

关键词：硒化铅介质基片厚度相对变形晶格常数生长介质氯化钠氟化钡

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