分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心

查看全文 作　　者：[1]卢励吾;[1]张砚华;[2]K.K.Mak;[2]Z.H.Ma;[2]J.Wang;[2]I.K.Sou;Wei kun [2]Ge

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京100083;[2]香港科技大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》索引2001年第22卷第2期,共6页

基　　金：国家自然科学基金和香港科技大学资助项目 !合同号分别为 697760 14和 HKUST612 5 /98p&& 摘　　要：应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (~ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类 关键词：分子束外延宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体类DX中心铝掺杂

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