等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究

查看全文 作　　者：[1]王金忠;[1]王新强;[1]王剑刚;[1]姜秀英;[1]杨树人;[1]杜国同;[1]高鼎三;LIU [2]Xiang;CAO [2]Hui;XU [2]Junying;CHANG R P [2]H

机构地区：[1]吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,吉林长春130023;[2]MaterialResearchCenter

出　　处：《功能材料》索引2001年第32卷第5期,共2页

基　　金：国家自然科学基金 (698962 60 );吉林省科学基金 (5991 0 1 61 983)资助项目 摘　　要：用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石 (α Al2 O3)上生长了ZnO薄膜 ,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值 ,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量 ,其结果是 :退火薄膜的电子浓度低达 10 15/cm3 量级、激光阈值降低近 30倍、X光衍射峰半高宽是 0 .2 9°、在 388nm附近的光致发光谱峰半高宽为 0 .32nm。 关键词：等离子体辅助MOCVD X光衍射光致发光激光阈值氧化锌薄膜退火

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