氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算

查看全文 作　　者：[1]范志新;[1]孙以材;[1]陈玖琳

机构地区：[1]河北工业大学应用物理系,天津300130

出　　处：《Journal of Semiconductors》索引2001年第22卷第11期,共5页

摘　　要：以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 . 关键词：氧化物半导体透明导电薄膜最佳掺杂含量

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