InGa As/Ga As量子点类脊型激光器的激射特性

查看全文 作　　者：[1]宁永强索引[2]高欣 [1]王立军索引Peter [3]Smowton Peter [3]Blood

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态物理开放实验室,长春130021;[2]长春光机学院高功率激光国家重点实验室,130022;[3]AstronomyandPhysicsDepartment,CardiffUniversity,UK

出　　处：《中国激光》索引2002年第29卷第4期,共4页

基　　金：国家自然科学基金 (编号 :6 9976 0 32 ;199740 47);吉林省科委基金资助项目 摘　　要：用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系 ,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构。通过采用多层量子点、对量子点层间进行耦合以及采用宽禁带AlGaAs作为量子点层势垒可以有效地降低激光器的阈值电流密度。获得了最低为 2 0A/cm2 的平均阈值电流密度。量子点激光器的激射波长也与有源区结构有关 ,随着量子点层数增加 ,激射峰向长波方向移动。 关键词：INGAAS/GAAS 脊型激光器激射特性量子点脊型结构

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