转移过程对CVD生长的石墨烯质量的影响

查看全文 作　　者：[1,2]梁学磊;[1,2]李伟;CHENG [2]GuangJun;CALIZO [2]Irene;HACKER Christina [2]A;HIGHT WALKER Angela [2]R;RICHTER Curt [2]A;[1]彭练矛

机构地区：[1]北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室;[2]NanoelectronicsGroup,SemiconductorandDimensionalMetrologyDivision,NationalInstituteofStandardsandTechnology,GaithersburgMD20899,USA

出　　处：《科学通报》索引2014年第59卷第33期,共7页

基　　金：国家重大科学研究计划(2011CB921904);教育部科学技术研究项目(113003A)资助 摘　　要：利用化学气象沉淀法(CVD)在金属衬底上生长的石墨烯制备电子器件需要先把石墨烯转移到绝缘基底上,转移过程对器件制备的成功率和性能的均匀性有重要影响.转移过程中导致的石墨烯破损和金属生长基底残余颗粒污染受到普遍重视,然而由金属基底腐蚀液导致的石墨烯表面污染还没有引起足够的重视.本文利用拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)证明了转移过程中金属基底腐蚀液会在石墨烯表面引入污染,利用我们发展的'改良的RCA(radio corporation of America)清洗(modified RCA clean)'转移工艺能够有效地去除这种污染.这对提高后续制备的电子器件的性能有重要意义. 关键词：石墨烯转移污染拉曼光谱 XPS

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