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One-step synthesis of novel snowflake-like Si-O/Si-C nanostructures on 3D graphene/Cu foam by chemical vapor deposition

查看全文 作　　者：Jing [1,2]Ning;Dong [1,2]Wang;Jincheng [1,2]Zhang;Xin [1,2]Feng;Ruixia [1,2]Zhong;Jiabo [1,2]Chen;Jianguo [1,2]Dong;Lixin [3]Guo;Yue [1,2]Hao 高影响力作者 机构地区：[1]The State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi'an 710071, China;[2]ShaanxiJoint Key Laboratory of Graphene, Xidian University, Xi'an 710071, China;[3]School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi'an 710071, China高影响力机构 出　　处：《Nano Research》索引2018年第11卷第4期,共12页高影响力期刊 基　　金：The work was supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos. 61604115 and 61334002), the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China (No. 2016ZDJC-09), the Key Research and Development program in Shaanxi Province (No. 2017ZDCXL-GY-11-03), the China Postdoctoral Science Foundation (No. 2015M580814),the Postdoctoral Science Research Plan in Shaanxi Province of China and the Fundamental Research Funds for the Central Universities (Nos. XJS15066 and JB161103). 摘　　要：合成进程为的最近的开发三维(3D )基于 graphene 的结构趋于集中于多孔的 nanostructures 的连续改进,为造 3D 体系结构在薄电影的制造,和机制期间做修正。这里,我们综合了由一步舞的 3D graphene/Cu 泡沫上的新奇像雪花的 Si-O/Si-C nanostructures 低压的化学蒸汽免职(CVD ) 。通过系统的 micromorphological 描述, nanostructures 的形成机制包含了融化 Cu 泡沫表面和产生蒸汽的随后的冷凝作用,这被决定,通过催化作用的 graphene 的 3D 生长面对 Cu ,并且最后,在充满碳的空气的 Si-O/Si-C nanostructure 的成核。因此由调节生长温度和持续时间,与精确控制如此的像雪花的 nanostructures 的成核和进化应该是可能的。电气化学的大小显示像雪花的 nanostructures 为精力存储作为材料显示出优秀性能。Si-O/Si-C nanostructures 的最高特定的电容是以 1 mV/s 的扫描率的 963.2 mF/cm 2 。甚至在 20,000 个顺序的周期以后,进一步,电极保留了 94.4% 它的电容。 关 键 词：电气化学 生蒸汽 3D 雪花 泡沫 合成 体系结构 生长温度
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参考文献(49)

引证文献(2)

耦合文献(11)

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