长波长垂直腔面发射激光器(英文)

查看全文 作　　者：Yan Chang-ling*1,2, Ning Yong-qiang1, Qin Li1,Liu Yun1,Wang Qing1,Zhao Lu-min1,Sun Yan-fang1, Jin Zhen-hua1, Tao Ge-tao1, Wang Chao1, Liu Jun1, Wang Lijun1,Zhong Jingchang1.Laboratory of Excited State Processes, Chinese Academy of Sciences, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China;2.Changchun University of Science and Technology, State Key Lab of High Power Semiconductor Laser, Changchun 130022, China 出　　处：《光机电信息》索引2004年第4期,共12页 摘　　要：给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状,同时对GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后,给出了所设计的新型1.3μmGaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计,有源区量子阱由980nm半导体激光二极管进行泵浦。这种器件设计实现了激光二极管泵浦与长波长垂直腔面发射激光器的有机结合,同时具有两者的优点。此外,本文还对器件的阈值特性和光输出功率进行了理论计算。 关 键 词：长波长 垂直腔面 激光器 结构设计 激光二极管 阈值