一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

查看全文 作　　者：[1]朱樟明 [1]杨银堂索引[1]刘帘曦 [1]朱磊

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》索引2004年第25卷第5期,共5页

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号 :2 0 0 2 AA1Z12 10)~~ 摘　　要：采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0~ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm. 关键词：CMOS 带隙电压基准源二次分压温度补偿

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