用分子层掺杂法进行硼的超浅重掺杂

查看全文 作　　者：J.Nishizawa;K.Aoki;T.Akamine;[1]钟煌煌 机构地区：[1]广州半导体器件厂 出　　处：《微电子学与计算机》索引1992年第9卷第8期,共2页 摘　　要：本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即在5V反问偏置下,漏电流小于2.5×10^(-16)A/μm^2。MLD法是快速提供高浓度、浅结、无损伤、选择掺杂的颇具吸引力的方法。 关 键 词：分子层掺杂法 超浅硼