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| 1 | 基于透射谱的GaN薄膜厚度测量显示文摘通过对蓝宝石衬底异质外延GaN薄膜光学透射谱的分析 ,结合晶体薄膜的干涉效应原理并考虑折射率随光子波长变化的影响 ,从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法 .实际应用表明 。 | 张进城 郝跃 李培咸 范隆 冯倩 | 2004 | 物理学报2004，53，4： | 29 |
| 2 | 我国罗非鱼出口现状及对策显示文摘罗非鱼是我国水产品出口的拳头产品,近年来保持快速增长的态势。但随着2014年12月美国多次检出我国出口罗非鱼磺胺类药物残留并对相关企业实施'自动扣检'措施,罗非鱼出口严重受阻,产业遭受致命打击。本文通过分析比较了我国近年来罗非鱼出口贸易情况,并对其出口不合格情况进行系统的整理和分析,发现罗非鱼产业存在产品加工程度较低、产业依赖出口且市场过于集中无定价权、养殖大环境日益恶化违规用药等违法违规行为屡禁不止等问题,通过对这些问题进行分析研究,建议采取加强源头监管、推进产业转型升级、促进行业自治、构建多元化市场格局和推进国际共治等对策措施,以期对提高罗非鱼出口产品质量和完善我国出口水产品质量安全管理体系提供一定参考。 | 赵海军 杨彬彬 郝跃 陈荣溢 黎锐恒 岑坚 陈飞 霍琪 刘建芳 | 2015 | 食品安全质量检测学报2015，6，12： | 25 |
| 3 | 高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展显示文摘GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要着重解决的问题。 | 刘坚斌 李培咸 郝跃 | 2005 | 量子电子学报2005，22，5： | 23 |
| 4 | 应用混合游程编码的SOC测试数据压缩方法显示文摘本文提出了一种有效的基于游程编码的测试数据压缩/解压缩的算法:混合游程编码,它具有压缩率高和相应解码电路硬件开销小的突出特点.另外,由于编码算法的压缩率和测试数据中不确定位的填充策略有很大的关系,所以为了进一步提高测试压缩编码效率,本文还提出一种不确定位的迭代排序填充算法.理论分析和对部分IS-CAS 89 benchmark电路的实验结果证明了混合游程编码和迭代排序填充算法的有效性. | 方建平 郝跃 刘红侠 李康 | 2005 | 电子学报2005，33，11： | 20 |
| 5 | 宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展显示文摘宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。 | 郝跃 | 2019 | 科技导报2019，37，3： | 19 |
| 6 | 面向集成电路制造的基于Petri网的生产调度显示文摘本文提出了一个新的面向集成电路 (IC)制造的调度方法 ,核心内容包括两方面 :首先 ,用本文提出的扩展定时Petri网对IC生产工艺进行描述 ;其次 ,对所得Petri网模型的状态空间进行搜索 ,得到以Transition序列表示的最优或近似最优调度 .该方法可以很好地描述IC制造系统中存在的多制造路径、资源共享、可变晶片组及并发等特性 ,通过引入测试弧增强Petri网的建模能力 ,进而在调度模型上对设备维护、设备优先级以及操作优先级进行描述 ,而且支持多目标的评价函数 ,使得到的调度结果更具实用价值 . | 薛雷 郝跃 | 2001 | 电子学报2001，29，8： | 15 |
| 7 | 行业特色型高校建设世界一流大学与学科的思考显示文摘《国家中长期教育改革和发展规划纲要(2010—2020年)》提出,“加快创建世界一流大学和高水平大学的步伐,培养一批拔尖创新人才,形成一批世界一流学科,产生一批国际领先的原创性成果,为提升我国综合国力贡献力量”。 | 陈治亚 郝跃 | 2015 | 中国高校科技2015，，12： | 14 |
| 8 | SiC/AlN上外延GaN薄膜的黄带发光与晶体缺陷的关系显示文摘利用室温光致发光 (PL)技术研究了在 6H SiC (0 0 0 1)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜“黄带”发光 (YL)特点 ,与扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)技术得到的GaN薄膜的表面形貌质量和内部结晶质量的结果相对照 ,表明“YL”发光强度与GaN薄膜的扩展缺陷多少直接相对应 通过二次离子质谱 (SIMS)技术获取的GaN薄膜中Ga元素深度分布揭示出镓空位 (VGa)最可能是“YL”发光的微观来源 分析认为 ,虽然宏观扩展缺陷 (丝状缺陷、螺形位错等 )和微观点缺陷VGa及其与杂质的络合物 (complexes)都表现出与“YL”发射密切相关 ,但VGa及其与杂质的络合物更可能是“YL”发射的根本微观来源 室温下获得的样品“YL”发射强度和光谱精细结构可用于分析GaN薄膜缺陷和晶体质量 . | 范隆 郝跃 冯倩 段猛 | 2003 | 光子学报2003，32，8： | 13 |
| 9 | S波段六位高精度移相器设计显示文摘采用0.25μmGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)7-艺设计了一款六位S波段数字移相器.移相器采用高低通和全通网络结构,运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法.移相器在0°~360°相位范围内以5.625°步进,在2.1~2.7GHz频率范围内,最小相位均方根误差仅为1.13°.频带范围内插入损耗小于6.3dB,幅度均衡小于0.4dB,输入输出反射系数小于一10dB. | 杨小峰 史江义 马佩军 郝跃 | 2014 | 西安电子科技大学学报2014，41，2： | 13 |
| 10 | 自然降温对红花玉兰抗寒生理指标的影响显示文摘在自然降温过程中,以红花玉兰、紫玉兰、黄玉兰、望春玉兰为试验材料,对枝条的超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化氢酶(POD)和过氧化物酶(CAT)活性以及丙二醛(MDA)含量等指标进行了研究。结果表明:随着温度的逐渐降低,4种玉兰丙二醛含量逐渐增大,红花玉兰丙二醛含量相对较高,受害程度比较大;随着温度的降低,SOD、POD、CAT 3种酶的活性逐渐增强,红花玉兰3种酶的活性总体高于望春玉兰,保护机制要好于望春玉兰。通过低温锻炼,红花玉兰对低温有一定的适应能力。 | 梁大伟 马履一 贾忠奎 郝跃 怀慧明 朱仲龙 王晓玲 | 2010 | 林业科技开发2010，24，2： | 12 |
| 11 | SiC新型半导体器件及其应用显示文摘给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状 ,分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题 ,同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状 ,并对其应用前景进行了展望 . | 张进城 郝跃 赵天绪 王剑屏 | 2002 | 西安电子科技大学学报2002，29，2： | 12 |
| 12 | 化学气相沉积法生长石墨烯的研究显示文摘以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度。因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要。而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯。 | 史永贵 王东 张进成 张鹏 史学芳 郝跃 | 2014 | 人工晶体学报2014，43，7： | 12 |
| 13 | 薄栅氧化层击穿特性的实验研究显示文摘在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析,研究结果表明:相关击穿电荷QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关.得出了QBD的解析表达式。 | 刘红侠 郝跃 | 2000 | Journal of Semiconductors2000，21，2： | 11 |
| 14 | LDD-CMOS中ESD及其相关机理显示文摘LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术 ,该技术很好地改善了沟道电场分布 ,避免了在器件漏端的强场效应 ,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命 .然而 ,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了 .文中通过实验和分析 ,研究了在ESD过程中 ,LDDgg nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响 。 | 马巍 郝跃 | 2003 | Journal of Semiconductors2003，24，8： | 11 |
| 15 | GaN基蓝色LED的研究进展显示文摘介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望. | 段猛 郝跃 | 2003 | 西安电子科技大学学报2003，30，1： | 10 |
| 16 | 光电子器件与集成技术显示文摘光电子器件与集成技术具有低功耗、高速率、高可靠、小体积等突出优势,是突破信息网络所面临的速率带宽、能耗体积、智能化与可重构等方面瓶颈的核心关键技术.本文围绕光电子器件与集成技术,综述了近年来光通信及信息处理功能集成芯片技术、超高分辨成像及显示芯片技术和宽禁带光电子器件技术的研究现状、重要进展以及我国已具备的基础和条件,分析并提出了在未来5年主要的研究方向和内容等相关建议. | 祝宁华 李明 郝跃 | 2016 | 中国科学:信息科学2016，46，8： | 10 |
| 17 | 场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理显示文摘在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着漏偏压的升高而显著下降;在高漏偏压下,场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响,而合适尺寸的场板结构在各个漏偏压下都能够很好的抑制电流崩塌.深入分析发现,场板结构不仅能够抑制虚栅的充电过程,而且提供了放电途径,有利于虚栅的放电,从而抑制电流崩塌.在此基础上,通过建立场板介质对虚栅放电的模型,解释了高漏偏压下场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响的原因. | 魏巍 林若兵 冯倩 郝跃 | 2008 | 物理学报2008，57，1： | 9 |
| 18 | 基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究显示文摘为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。 | 罗俊 王健安 郝跃 代天君 晏开华 李金龙 黄姣英 | 2014 | 微电子学2014，44，4： | 8 |
| 19 | 氮化物半导体电子器件新进展显示文摘氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮化物材料的高耐压能力.近年来,GaN HEMT器件主要在微波功率和电力电子2个领域得到了快速发展.本文评述了GaN微波毫米波功率器件和高效电力电子器件的若干研究进展,并提出了氮化物电子器件仍存在的问题及解决方向. | 郝跃 张金风 张进成 马晓华 郑雪峰 | 2015 | 科学通报2015，60，10： | 8 |
| 20 | 薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究显示文摘通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明 ,热电子注入和F N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 .热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定 . | 刘红侠 方建平 郝跃 | 2001 | 物理学报2001，50，6： | 8 |
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