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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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19篇 您的检索式：作者名="B Claflin"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1P-type doping and devices based on ZnO 显示文摘Look D C Claflin B 2004Phys Stat Sol(b)2004，241，：1
2The future of ZnO light emitters显示文摘Look D C Claflin B Alivov Y 2004Phys Stat Sol(a)2004，201，：1
3Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO显示文摘Look D C Coskun C Claflin B 2003Physica B2003，34，：1
4The Future of ZnO Light Emitters 显示文摘Look D C Claflin B Alivov Ya I 2004Phys Stat Sol2004，201，：1
5P-type doping and devices based on ZnO显示文摘Look D C Claflin B 2004Physica Status Solidi (b)2004，241，3：1
6High-quality,melt-grown ZnO single crystals显示文摘Reynolds D C Litton C W Look D C Hoelscher J E Claflin B Collins T C Nause J Nemeth B 0，，：1
7Effects of elec-tron-irradiation on electrical properties of A1GaN/GaN Sehottky barrier diodes 显示文摘Fang Z Q Farlow G C Claflin B Look D C 2009Journal of Applied Physics2009，105，12：1
8P-type Doping and Devices Based on ZnO显示文摘D C Look B Claflin 2004Physics Status Solid B2004，241，：1
9The future of ZnO light emitters显示文摘LOOK D C CLAFLIN B ALIVOV Y I 2004Phys Stat Sol2004，10，：1
10Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO显示文摘Look D C Coskun C Claflin B 2003Physiea B2003，34，：1
11Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO 显示文摘Look D C Coskun C Claflin B 2003Physica B2003，34，：1
12The future of ZnO light emitters 显示文摘LOOK D C CLAFLIN B ALIVOV Y I 2004Phys Stat Sol2004，201，10：1
13Electrical and Optical Properties of Defects and Impuritites in ZnO显示文摘Look D C Coskun C Claflin B Farlow G C 2003Physica B2003，34，：1
14Deeptraps in AlGaN/GaN heterostructures studied by deeplevel transient spectroscopy: effect of carbon concentra-tion in GaN buffer layers 显示文摘FANG Z Q CLAFLIN B LOOK D C 2010Journal of Applied Phy-sics2010，108，6：1
15Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO显示文摘 Coskun C Claflin B 2003Physica B2003，，：1
16P-type doping and devices based on ZnO显示文摘Look D C Claflin B 0，，03：1
17Electric and optical properties of defects and impurities in ZnO 显示文摘Look D C Coskun C Claflin B 2003Physica B2003，342，1：1
18Deep traps in A1GaN/GaN heterostructures studied by deep level transient spectroscopy: effect of carbon concentration in GaN buffer layers 显示文摘FANG Z Q CLAFLIN B LOOK D C 2010J Appl Phys2010，108，06：1
19Analysis of resistance to ergot in Sorghum and potential alternate hosts显示文摘Reed J D Ramundo B A Claflin L E 2002Crop Science2002，42，：1
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