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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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14篇 您的检索式：作者名="Bockowski M"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1High Pressure Direct Synthesis of Ⅲ-Ⅴ Nitrides显示文摘Bockowski M 1999Physica1999，265，：1
2Crystal growth of aluminum nitride under high pressure of nitrogen显示文摘BOCKOWSKI M WROBLEWSKI M LUCZNIK B et al 2001Materials Science in Semiconductor Processing2001，4，：1
3High Pressure Direct Synthesis of Ⅲ-V Nitfides 显示文摘Bockowski M 1999Physica B1999，265，：1
4Review: Bulk Growth of Gallium Nitride: Challenges and Difficulties 显示文摘Bockowski M 2007Crystal Research and Technology2007，42，：1
5The nature ofCr center in GaN : Magnetic anisotropy of GaN : Cr singlecrystals显示文摘Gosk J B Bockowski M Grzegory I 2012J Appl Phys2012，112，11：1
6Synthesis of oxygen-free aluminium nitride ceramics显示文摘WITEK A BOCKOWSKI M PRESZ A 1998J Mater Sci1998，33，：1
7High pressure phase transition in aluminium nitride 显示文摘GORCZYCA I CHRISTENSEN N E PERLIN P GRZEGORY I JUN J BOCKOWSKI M 1991Solid State Communications1991，79，12：1
8Thermodynamics and growth of GaN single crystals under pressure显示文摘POROWSKI S BOCKOWSKI M LUCZNIK B 1997Mater Res Soc Symp Proc1997，449，：1
9High pressure direct synthesis of Ⅲ-V nitrides显示文摘 1999Physica B1999，265，：1
10显示文摘Bockowski M 1999Physica B1999，265，：1
11Growth of GaN on patterned GaN/sapphire substrates by high pressure solution method显示文摘BOCKOWSKI M GRZEGORY I BORYSIUK J 2005Journal of Crystal Growth2005，281，1：1
12High Pressure Direct Synthesis of Ⅲ-V Nitrides显示文摘Bockowski M 1999physical1999，265，：1
13High pressure-high temperature seeded growth of GaN on 1 ira sapphire/GaN templates: Analysis of convective transport 显示文摘BOCKOWSKI M STRAK P KEMPISTY P 2007Journal of Crystal Growth2007，307，：1
14Growth and Doping of GaN and AIN Single Crystals under High Nitrogen Pressure 显示文摘Bockowski M 2001Crystal Research and Technology2001，36，：1
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