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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="DAMLENCOURT"
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1The Ge condensation technique:A solution for planar SOI/C, eOI co-integration for advanced CMOS technologies?显示文摘Vincent B Damlencourt J F Morand Y 2008Materials Science in Semiconductor Processing2008，11，56：1
2GeOI pMOSFETs scaled down to 30-nm gate length with record off-state current显示文摘HUTIN L ROYER C L DAMLENCOURT J F 0，，03：1
3Surfacetreatment for the atomic layer deposition of HfO2 on silicon 显示文摘DAMLENCOURT J F RENAULT O MARTIN F 2005Applied Physics Letters2005，86，14：1
4Growth of Si nanocrystals on alumina and integration in memory devices 显示文摘BARON T FERNANDES A DAMLENCOURT J F 2003Applied Physics Letters2003，82，23：1
5Fabrication and mobility characteristics of SiGe surface channel pMOSFETs with a HfO2/TiN gate stack 显示文摘Weber O Damlencourt J F Andrieu F 2006IEEE Trans Electron Devices2006，53，3：1
6HfO2/SiO2 interface chemistry studied by synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy显示文摘Renault O Samour D Damlencourt J F Blin D Martin F 0，，：1
7GeOI pMOSFETs scaled down to 30-nm gate length with record off-state current 显示文摘HUTIN L ROYER C L DAMLENCOURT J F 2010IEEE Elec Dev Lett2010，31，3：1
8Surface treatment for the atomic layer deposition of HfO2 on silicon 显示文摘Damlencourt J F Renault O Martin F 2005Applied Physics Letters2005，86，14：1
9HfO2/SiO2 interface chemistry studied by synchrotron radia- tion X-ray photoelectron spectroscopy 显示文摘RENAULY O SAMOUR D DAMLENCOURT J F 2002Applied Physics Letters2002，81，19：1
10Ge OI p MOSFETs scaled down to 30-nm gate length with record off-state current显示文摘HUTIN L LE ROYER C DAMLENCOURT J F 2010IEEE Electron Device Letters2010，31，3：1
11A benchmarking of silane,disilane and dichlorosilane for the low temperature growth of group IV layers显示文摘HARTMANN J M BENEVENT V DAMLENCOURT J F 2012Thin Solid Films2012，520，8：1
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