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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="Faleev N"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1High quality GaN grown on Si(111)by gas source molecular beam epitaxy with ammonia显示文摘Nikishin S A Faleev N N Antipov V G 1999A ppl Phys Lett1999，75，：1
2Spatial structureand the mechanism of tyrosine phenol-lyase and tryptophan indole-lyase显示文摘Demidkina T V Antson A A Faleev N G 2009Mol Biol(Mosk)2009，43，2：1
3Structure and mecha-nism of tryptophan indole-lyase and tyrosine phenol-lyase显示文摘Phillips R S Demidkina T V Faleev N G 2003Bio-chim Biophy Acta2003，1647，12：1
4Aminoacrylate intermediatesin the reaction of Citrobacter freundii tyrosine phenol-lyase显示文摘Phillips R S Chen H Y Faleev N G 2006Bi-ochemistry2006，45，31：1
5Insights into the cata-lytic mechanism of tyrosine phenol-lyase from X-ray structures ofquinonoid intermediates显示文摘Milic D Demidkina T V Faleev N G 2008J Biol Chem2008，283，29：1
6Crystallographic snap-shots of tyrosine phenol-lyase show that substrate strain plays a rolein C-C bond cleavage显示文摘Milic D Demidkina T V Faleev N G 2011J Am Chem Soc2011，133，16：1
7Dependence of the stress-temperature coefficient on dislocation density in epitaxial GaN grown on a-Al2O3 and 6H-SiC substrates]显示文摘Ahmad I Holtz M Faleev N N 2004J Appl Phys2004，95，4：1
8显示文摘Nikishin S A Faleev N N Antipov V G etal 1999Appl Phys Lett1999，75，：1
9High qualityGaN grown on Si (111 ) by gas source molecular beam epitaxywith ammonia 显示文摘Nikishin S A Faleev N N Antipov V G 1999Appl Phys Lett1999，75，14：1
10Growth and characterization of GaAs1-x Sbx barrier layers for advanced concept solar cells显示文摘Bremner S P Liu G M Faleev N 2008J Vac Sci Technol B2008，26，3：1
11Growth and characterization of GaAs1-xSbx barrier layers for advanced concept solar cells显示文摘Bremner S P Liu G M Faleev N 2008Journal of Vacuum Science Technology B2008，26，：1
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