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10篇 您的检索式：作者名="Focia"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Structural basis for stem ceil factor-KIT signaling and activation of class Ⅲ receptor tyrosine kinases显示文摘	Liu H Chen X Focia PJ	2007	EM- BO J2007，26，3：	1
	2	Structures of a plate- let-derived growth factor/propeptide complex and a platelet-de- rived growth factor/receptor complex显示文摘	Hye-Ryong Shim A Liu H Focia PJ	2010	PNAS2010，107，11：	1
	3	Silicon diodes in avalanche pulse sharpening applications显示文摘	Focia R J Schamiloglu E Fleddermann C B	1997	IEEE Trans on Plasma Science1997，25，2：	1
	4	Silicon diode in avalanche pulse-sharpening applications显示文摘	Focia R J Schamiloglu Edl	1997	IEEE Trans on Plasma Science1997，25，2：	1
	5	Structural Basis of Semaphorin-Plexin Recognition and Viral Mimicry from Sema7A and A39R Complexes with PlexinC1显示文摘	Heli Liu Z. Sean Juo Ann Hye-Ryong Shim Pamela J. Focia Xiaoyan Chen K. Christopher Garcia Xiaolin He	2010	Cell2010，，：	1
	6	Structural coupling of the EF hand and C-terminal GTPase domains in the mitochondrial protein Miro 显示文摘	KLOSOWIAK J L FOCIA P J CHAKRAVARTHY S	2013	EMBO Rep2013，14，11：	1
	7	Structures of ceftazidime and its transition-state analogue in complex with AmpC beta-lactamase: implications for resistance mutations and inhibitor design显示文摘	Powers RA Caselli E Focia PJ	2001	Biochemistry2001，40，31：	1
	8	Structural mile- stones in the reaction pathway of an amide hydrolase: substrate, acyl, and product complexes of cephalothin with AmpC beta-lac- tamase显示文摘	BEADLE BM TREHAN I FOCIA PJ	2002	Structure2002，10，3：	1
	9	Silicon Diodes in Avalanche Pulse-Sharpe- ning Applications显示文摘	FOCIA R J SCHAMILOGLU E FLEDDERMANN C B	1997	IEEE Trans Plasma Sci1997，25，2：	1
	10	纳秒和亚纳秒脉冲上升时间产生高峰值功率脉冲的简单方法显示文摘本文叙述了在纳秒上升时间产生高峰值功率脉冲的简单方法。这种方法以操作电感电容贮能电路中应用的漂移阶跃恢复二极管为基础,同时也叙述了用漂移阶跃恢复二极管把产生的脉冲上升时间削尖到亚纳秒的方法。实验结果表明,该电路能产生1.7kV,上升时间为几百微微秒,重复频率为10kHz的脉冲。	Focia,RJ	1997	核武器与高技术1997，，2：	0

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