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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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8篇 您的检索式：作者名="Heuken"
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1Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor显示文摘Hemmingsson C Pozina G Heuken M 2008Journal of Crystal Growth2008，310，：1
2Investigation of process technologies for the fabrication of AlGaInP mesa ultra high brightness light emitting diode 显示文摘Schineller B Junas Y Heuken M 1998Materials Science and Engineering1998，51，：1
3MOVPE, processing and characterization of AlGaN/GaN HEMTs with different Al concentrations on silicon substrates显示文摘M. Fieger M. Eickelkamp L. Rahimzadeh Koshroo Y. Dikme A. Noculak H. Kalisch M. Heuken R.H. Jansen A. Vescan 2006Journal of Crystal Growth2006，，：1
4Investigation of process technologies for the fabrication of AlGalnP mesa ultra high brightness light emitting diode显示文摘Schineller B Junas Y Heuken M 1998Materials Science and Engineering B1998，51，：1
5Metalorganic vapor phase epitaxy ofwide-gap Ⅱ-Ⅵ semiconductors for optoelectronicapplications: current status and future trends显示文摘 1995Journal of Crystal Growth1995，146，：1
6Modeling of group-Ⅲ nitride MOVPE in close coupled showerhead reactor and planetary reactor 显示文摘MARTIN C DAUELSBERG M PROTZMANN H BOYD A R THRUSH E J HEUKEN M TALALAEV R A YAKOVLEV E V KONDRATYEVET A V 2007J Cryst Growth2007，303，1：1
7Modelling of group-III nitride MOVPE in the closed coupled showerhead reactor and Planetary Reactor ?显示文摘C. Martin M. Dauelsberg H. Protzmann A.R. Boyd E.J. Thrush M. Heuken R.A. Talalaev E.V. Yakovlev A.V. Kondratyev 2006Journal of Crystal Growth2006，，：1
8Investigation of process technologies for the fabrication of AlGaInP mesa ultra high brightness light emitting diode显示文摘Schineller B Junas Y Heuken M 1998Materials Science and Engineering1998，51，：1
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