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11篇 您的检索式：作者名="Hvam"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Optimization of the confinement energy of quantum-wire states in T-shaped GaAs/AlxGa1-xAs structures显示文摘	Langbein W Gislason H Hvam J M	1996	Phys Rev1996，54，14：	1
	2	Equivariant Adaptive Source Separation显示文摘	Cardoso J-F Laheld B Hvam	1996	IEEE Trans on Signal Processing1996，44，12：	1
	3	Bounding component sizes of two-connected steiner networks显示文摘	Hvam K Reinhardt L Winter P	2007	Information Processing Letters2007，104，5：	1
	4	Self-phase modulation of a single-cycle terahertz pulse by nonlinear free-carrier response in a semiconductor显示文摘	Dmitry Turchinovich J?rn M Hvam Matthias C Hoffmann		0，，：	1
	5	Equivariant adaptive source separation显示文摘	Jean Frangois Cardoso Beate Hvam Laheld	1996	IEEE Transactions on Signal Processing1996，44，12：	1
	6	Carrier Dynamics in Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots显示文摘	Xu Zhang-cheng Zhang Yang-ting Jфrn Hvam M	2006	Applied Physics Letters2006，89，01：	1
	7	Submonolayer InGaAs/GaAs quantum-dot lasers with high modal gain and zerolinewidth enhancement factor显示文摘	Xu Z Birkedal D Juhl M Hvam J		0，，15：	1
	8	A procedure for building product models显示文摘	Lars Hvam	1999	Robotics and Computer-Integrated Manufacturing1999，15，5：	1
	9	Temperature - induced wavelength shift of electron- beam - pumped lasers from CdSe, CdS and ZnO 显示文摘	Hvam J M	1971	Physical review B1971，4，12：	1
	10	An approach for the development of visual configuration systems显示文摘	HVAM L LADEBY K	2007	Computers & Industrial Engineering2007，53，3：	1
	11	Inter-Layer Energy Transfer through Wetting-Layer States in Bi-layer InGaAs/GaAs Quantum-Dot Structures with Thick Barriers显示文摘在有一个厚 GaAs 障碍的双性人层 InGaAs/GaAs 量点结构的夹层精力转移用温度依赖者光致发光被学习。在有在 110K 的大量范围的层的 QD 的光致发光的反常改进被观察,它能被在提高的温度认为反响的 Förster 是在弄湿的层状态之间的精力转移解释。	徐章程张雅婷 Jφrn M. Hvam Yoshiji Horikoshi	2009	Chinese Physics Letters2009，26，5：	0

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