| 3 | 低压MOCVD生长n型GaN肖特基势垒的研究显示文摘用低压 MOCVD 法生长了 n 型 GaN 薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10^(-6)Torr 时,用电子束蒸发淀积 Pt 或 Pd 薄层,形成肖特基接触。n-GaN 薄膜上的 Pt 肖特基势垒高度,用电流(应为电容——校者注)-电压法(C-V)和电流密度-温度法(J-T)测量分别是1.04和1.03eV。同样地基于 C-V 和 J-T 测量方法,测得的 n-GaN 上的 Pd 势垒高度分别为0.94和0.91eV。在实验中观测到的 Pt 和 Pd 肖特基特性与以前报道的 Au 和 Ti 的肖特基特性进行了比较。 | J.D.Guo 李和委 | 1996 | 半导体情报1996，33，5： | 0 |
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