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3篇 您的检索式：作者名="J.R.Liefting"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	高能重离子注入Si中缺陷的抑制显示文摘以文献[10]中作者系统研究离子注入Si中缺陷形成判据为基础,研究多种高能重离子的注入和退火行为,提出一种简便和有效抑制二次缺陷形成的新方法.	卢武星 R.J.SCHREUTLKAMP J.R.LIEFTING F.W.SARIS	1995	物理学报1995，44，7：	1
2	离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高显示文摘研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法.MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷(损伤)层对P激活的有害影响,大大提高了掺杂杂质的平均激活水平.	卢武星刘洁 J.R.Liefting	1997	北京师范大学学报(自然科学版)1997，33，4：	0
3	Ion Beam Defect Engineering——Controlling of Secondary Defect in Ion-implanted Silicon	卢武星 R.J.Schreutelkamp J.R.Liefting F.W.Saris	1994	Progress in Natural Science:Materials International1994，4，3：	0

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