| 1 | 光栅耦合外谐振腔调谐的半导体量子级连激光器显示文摘本文研究了由InGaAs/InAlAs材料组成,波长为4.6和5.1微米的量子级连中红外半导体激光器的光栅外耦合谐振腔的特性。在温度是80K时波长可调制宽度是激光中心波长的1.5%左右。对于这两个激光器而言,它们的波长可调制宽度随温度升高而减低。被调制的单模激光器的输出光功率是几个毫瓦,激光的谱线宽度是1到2个微米。激光阈值电流随波长缓慢变化,然而激光输出效率在短波长时更加优化。 | 彭川 Han Q.Le B.Ishaug J.Um James N.Baillargeon | 2003 | 光散射学报2003，15，3： | 0 |
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