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1篇 您的检索式：作者名="Jaeheon Han"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	超亚微米栅AlGaAs/GaAs HEMT显示文摘在分子束外延生长的外延晶片上,用电子束刻蚀技术制作了超亚微米栅AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT),其栅长分布为25~85nm。该器件表明,速度过冲和短栅几何效应对栅长小于100nm的器件起着重要的作用。栅长为30nm的HEMT的最大本征跨导为215mS/mm,有效饱和电子速度可达3×10~7cm/s。	Jaeheon Han 赵立芳	1991	半导体情报1991，28，2：	0

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