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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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13篇 您的检索式：作者名="KUECH T F"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1氢化气相外延氮化镓生长中气氛的作用研究(英文)显示文摘报告了氢化物气相外延技术中 ,在载气氮气氛中加入氢气对材料表面形貌及材料性质的影响。实验发现生长气氛中氢的存在会显著改进材料的质量 ,这种作用被归之于氢气氛下氨气在气相中的反应下降以及生长表面较低的氮的活动能力。顾书林 张荣 施毅 郑有炓 张宁 KUECH T F 2000功能材料与器件学报2000，6，4：2
2Interfacial chemistry of InP/GaAs bonded pairs显示文摘LIU N KUECH T F 2007Journal of Electronic Materials2007，36，3：1
3Model Development of GaN MOVPE Growth Chemistry for Reactor Design 显示文摘Sun J X Redwing J M Kuech T F 2000Journal of EelctronicC Materials2000，29，1：1
4Changes in interfacial bonding energies in the chemical activation of GaAs surfaces显示文摘LIU N KUECH T F 2005Journal of Electronic Materials2005，34，7：1
5High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia显示文摘Thon A Kuech T F 1996Applied Physics Letters1996，69，1：1
6Adsorption and decomposition studies of t-butyl silane on Si(100)-(2 × 1) surfaces using FTIR-ATR spectroscopy 显示文摘Rudkevich E Saulys D Gaines D Kuech T F McCaughan L 1997Surface Science1997，383，：1
7Effect of surface preparation on production of interfaces 显示文摘KUECH T F MARSHALL E SCILLA G J POTEMSKI R RANSOM C M HUNG M Y 1986Journal of Crystal Growth1986，77，：1
8FJectrical characterization of Mg - doped GaN by metalorganic vapor phase epitaxy 显示文摘HUANG J H KUECH T F 1996Appl Phys Lett1996，68，17：1
9Model development of GaN MOVPE growth chemistry for reactor design 显示文摘Sun Jingxi Redwing J M Kuech T F 2000J Electron Mater2000，29，1：1
10Surface chemistry of prototypical bulk Ⅱ-Ⅵ and Ⅲ-Ⅴ semicon- ductors and implications for chemical sensing 显示文摘SEKER F MEEKER K KUECH T F 2000Chemical Reviews2000，100，7：1
11显示文摘Redwing J M Kuech T F Gordon D C 1994J Appl Phys1994，76，3：1
12High Temperature Adduct Formation of Trimethylgallium and Ammonia 显示文摘THON A KUECH T F 1996Applied Physics Letters1996，69，：1
13High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia显示文摘Thon A Kuech T F 1996Appl Phys Lett1996，69，1：1
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