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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="Karetnikov"
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1Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a 显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Plotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
2Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure 显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Plotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
3Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Plotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
4Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘N. K. Morozova I. A. Karetnikov V. G. Plotnichenko E. M. Gavrishchuk é. V. Yashina V. B. Ikonnikov 2004Semiconductors2004，，1：1
5Efficiency of background suppression by tagged neutron technology 显示文摘Maxim Karetnikov Anatoly Klimov Sergey Korotkov 2007Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B2007，261，12：1
6Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘N. K. Morozova I. A. Karetnikov V. G. Plotnichenko E. M. Gavrishchuk é. V. Yashina V. B. Ikonnikov 2004Semiconductors2004，，1：1
7Translation mechanisms involving long-distance Base pairing interactions between the 5' and 3' non-translated regions and Internal ribosomal entry are conserved for both genomic RNAs of Blackcurrant Reversion nepovirus 显示文摘Karetnikov A Lehto K Virology0，371，2：1
8Transformation of luminescence cenlcrs in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Ptotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
9Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Plotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
10Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Plotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
11Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure显示文摘Morozova N K Karetnikov I A Plotnichenko V G 2004Semiconductors2004，38，1：1
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