| 2 | 用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性显示文摘在77 K下,0—30 kbar 静压范围内研究了 GaAs/AlAs超短周期超晶格的静压光致发光.测得(GaAs)_1/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数为-1.35 meV/kbar。表明它的导带最低能级具有体材料X谷的特性而不是大多数理论计算所预计的L谷特性.测得(GaAs)_2/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数是8.69meV/kbar.表明它是 GaAs/AlAs超晶格中周期最短的Ⅰ类超晶格. | 李国华 刘振先 韩和相 汪兆平 江德生 Klaus. ploog | 1992 | Journal of Semiconductors1992，13，5： | 0 |
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