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10篇 您的检索式：作者名="LINDEFELT U"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Effective masses of two-dimensional electron gases around cubic inclusions in hexagonal silicon carbide 显示文摘	IWATA H P LINDEFELT U OBERG S	2003	Phys Rev: B2003，68，24：	1
	2	Relativistic Band Structure Calculation of Cubic and Hexagonal SiC Polytypes显示文摘	Persson C Lindefelt U	1997	J Appl Phys1997，82，11：	1
	3	Relativistic band structure calculation of cubic and hexagonal SiC polytypes显示文摘	C Persson U Lindefelt	1997	J Appl Phys1997，82，11：	1
	4	Heat Generation in Semiconductor Device显示文摘	Lindefelt U	1994	J Appl Phys1994，75，2：	1
	5	Heat Generation in Si Bipolar Power Devices:the Relative Importance of Various Contributions显示文摘	Tornblad Lindefelt U Breitholtz B	1996	Solid State Electronics1996，39，10：	1
	6	Doping-induced band edge displacementsand bandgap narrowing in 3C-, 4H-, 6H-SiC, andSi 显示文摘	LINDEFELT U	1998	Journal of Applied Physics1998，84，5：	1
	7	Simulation of SiC high power devices显示文摘	Bakowski M Gustafsson U Lindefelt U	1997	Physica Status Solidi(a)1997，162，1：	1
	8	Heat generation in Si bipolar power devices: the relative importance of various contributions显示文摘	Tornblad O Lindefelt U Breitholtz B	1996	Solid-State Electronics1996，39，10：	1
	9	Simulation of SiC High Power Devices显示文摘	Bakowski M Gustafsson U Lindefelt U	1997	Phys Stat Sol (a)1997，162，1：	1
	10	Relativistic band structure calculation of cubic and hexagonal SiC polytypes显示文摘	LINDEFELT U	1997	J Appl Phys1997，82，11：	1

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